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TBB1002

更新时间:2025-04-26 10:11:07
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TBB1002 相关资料

  • 其它信息：

    电流参数：ID=0.03A/IGSS=100nA
    电压参数：UDS=6V/UGS=±6V/UGS(off)=0.75V
    功  率：Pch=0.25W
    极  性：N
    备  注：(双栅极场效应管)

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  • 大小：66.2KB
  • 厂家：HITACHI [Hitachi Semiconductor]
  • 描述：Twin Build in Biasing Circuit MOS FET IC VHF/UHF RF Amplifier
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