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TC58V64

更新时间:2025-04-17 22:05:09
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TC58V64 相关信息
  • NAND闪速存储器的ID读操作
    ...址。由于90h是指令，所以虽然将OLE设为有效（高电平），但由于紧跟着的00h是地址值，所以CLE无效（低电平），而ALE有效（高电平）。 完成这样的流程后，通过下面2次的读取，可以读出制造商代码（TC58V64为98h）和器件代码（TC58V64为E6h）。 欢迎转载，信息来源维库电子市场网（www.dzsc.com） 来源:ks99
  • NAND闪速存储器的内部结构
    TC58V64的内部结构如图所示。闪速存储器的容量增大，则块数也将增加，但内部的基本结构没有改变。 图 TC58V64的内部结构 NAND闪速存储器的特点 ①按顺序存取数据； ②存储器内部以块为单元进行分割，而各块又以页为单位进行分割； ③以块为单位进行擦除操作； ④以页为单位进行编程（写人）； ⑤页的大小存在尾数（TC28V64是roodZJ字节）； ⑥也存在有坏块（bad block）的产品。 以NAND闪...
  • NAND闪速存储器的数据读操作
    TC58V64的读操作如图1所示。随着指令，利用节指定读出开始地址，开始进行数据读操作，地址及指令在WE信号的上升沿被锁存。 图1 TC58V64的读操作 读操作时地址的指定方法如表1所示。最先给予的数据称为列地址，后面的两个周期中所给予的数据称为页地址。TC58V64的存储器具有1024个块，由于各个块又分割成16个页，所以A22～A13为块号（块地址），A12～A19为块内的页号（块内的NAND地址）。 ...
TC58V64 相关搜索
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