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TIP132G

更新时间:2025-05-02 14:21:31
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TIP132G的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

TIP132G外观图

  • 标准包装：50
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：8A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：100V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：3V @ 30mA，6A
  • 电流 - 集电极截止（最大）：500µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：1000 @ 4A，4V
  • 功率 - 最大：2W
  • 频率 - 转换：-
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3
  • 供应商设备封装：TO-220AB
  • 包装：管件
TIP132G 相关信息
  • TIP132G的技术参数
    产品型号:TIP132G类型:NPN集电极－发射集最小雪崩电压VCEO(V):100集电极最大电流IC(Max)(A):8直流电流增益hFE最小值(dB):1000直流电流增益hFE最大值(dB):15000最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):-总功耗PD(W):70封装/温度(℃):TO220/-60~150价格/1片(套):暂无 来源:零八我的爱
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