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TIP32C

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  • 厂家:TD
  • 描述:Dated : 21/09/2016 Rev: 01 TOP DYNAMIC TIP32C PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for power switching and amplifier applications Absolute Maximum Ratings (T a = 25 O C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -V CBO 100 V Collector Emitter Voltage -V CEO 100 V Emitter Base Voltage -V EBO 5 V Collector Current -I C 3 A Collector Current (Pulse) -I CP 5 A Base Current -I B 1 A Power Dissipation (T a = 25 O C) P tot 2 W Power Dissipation (T c = 25 O C) P tot 40 W Junction Temperature T j 150 O C Storage Temperature Range T s - 65 to + 150 O C Characteristics at T a = 25 O C Parameter Symbol Min. Max. Unit DC Current Gain at -V CE = 4 V, -I C = 1 A at -V CE = 4 V, -I C = 3 A h FE h FE 25 10 - 50 - - Collector Emitter Sustaining Voltage at -I C = 30 mA -V CEO(sus) 100 - V Collector Cutoff Current at -V CE = 100 V -I CES - 0.2 mA Collector Cutoff
  • 标准包装:50
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):3A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):100V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):1.2V @ 375mA,3A
  • 电流 - 集电极截止(最大):300µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):10 @ 3A,4V
  • 功率 - 最大:2W
  • 频率 - 转换:3MHz
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商设备封装:TO-220AB
  • 包装:管件
  • 其它名称:TIP32COS
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