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TK100E10N1,S1X

更新时间:2025-06-07 16:01:23
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  • 深圳市华之电科技有限公司

  • TK100E10N1,S1X(S

    TK100E10N1,S1X(S
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TK100E10N1,S1X 规格参数
  • 数据列表
    TK100E10N1
  • 标准包装
    50
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    -
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    207A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    3.4 毫欧 @ 50A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    4V @ 1mA，10V
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    140nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    8800pF @ 50V
  • 功率 - 最大
    255W
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-220-3
  • 供应商设备封装
    TO-220-3
  • 包装
    管件
  • 其它名称
    TK100E10N1S1X
芯产品
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广东微尔科技有限公司
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