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TN0200TS

更新时间:2025-04-28 14:43:08
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TN0200TS 相关资料

  • 其它信息：

    电流参数：ID=1.2A/IDM=4A/IS=1A
    电压参数：UDG=20V/UGS=±8V
    功  率：PD=1W
    其他参数：4.5V/0.29Ω，2.5V/0.34Ω
    极  性：N

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TN0200TS PDF下载
  • 大小：66.1KB
  • 厂家：VISAY [Vishay Siliconix]
  • 描述：N-Channel 20-V (D-S) MOSFETs
  • 制造商：Vishay
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：20 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 8 V
  • 漏极连续电流：1.2 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：400 mOhms at 4.5 V
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：TO-236-3
  • 下降时间：14 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：1000 mW
  • 上升时间：14 ns
  • 工厂包装数量：1000
  • 典型关闭延迟时间：21 ns
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