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TP0610K-T1-E3

更新时间:2023-03-28 19:58:22
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TP0610K-T1-E3外观图

  • 大小：95.2KB
  • 厂家：Vishay
  • 描述： P CH MOSFET, -60V, 185mA, TO-236; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-185mA; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-3V ;RoHS Compliant: Yes
  • 数据列表：TP0610K
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：TrenchFET®
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：185mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：6 欧姆 @ 500mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：1.7nC @ 15V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：23pF @ 25V
  • 功率 - 最大：350mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：TP0610K-T1-E3TR
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