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TPN1600ANH,L1Q

更新时间:2025-05-17 06:31:39
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  • 深圳市炀城实业有限公司

  • TPN1600ANH,L1Q

    TPN1600ANH,L1Q

  • 5000

  • Toshiba Semiconductor and Storage

  • MOSFET N CH 100V 17A 8TSONADV/24+

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TPN1600ANH,L1Q 规格参数
  • 现有数量
    5,000现货
  • 系列
    U-MOSVIII-H
  • 包装
    卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态
    在售
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
    100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    17A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    16 毫欧 @ 8.5A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    4V @ 200μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    19 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）
    ±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    1600 pF @ 50 V
  • FET 功能
    -
  • 功率耗散（最大值）
    700mW（Ta），42W（Tc）
  • 工作温度
    150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 供应商器件封装
    8-TSON Advance（3.1x3.1）
  • 封装/外壳
    8-PowerVDFN
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广东微尔科技有限公司
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