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TPN2R503NC,L1Q

更新时间:2025-05-28 03:34:42

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市昴泽电子有限公司
TPN2R503NC,L1Q
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深圳市科祥威电子科技有限公司
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深圳市中元伟业电子商行
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60000
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深圳市炀城实业有限公司
TPN2R503NC,L1Q
5000
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 30V 40A 8TSONADV/24+
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深圳市高捷芯城科技有限公司
TPN2R503NC,L1Q(J
661
TOSHIBA
TSONADVMCC/2023+
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TLC27L2IDR M13S128168A-6T CC2533F96RHAR TC7S86FU UCC2808AD-1 SI4835DY-T1 NCP1575DR2G UDN2595LW

TPN2R503NC,L1Q 规格参数

现有数量
0现货
系列
U-MOSVIII
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
40A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.5 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 500μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
40 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2230 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
700mW（Ta），35W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-TSON Advance（3.1x3.1）
封装/外壳
8-PowerVDFN

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广东微尔科技有限公司

TPN2R503NC,L1Q相关型号

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