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UMW2N

更新时间:2025-06-13 08:04:00
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UMW2N 规格参数
  • 制造商
    ROHM Semiconductor
  • 产品种类
    Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性
    NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
    50 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO
    7 V
  • 最大直流电集电极电流
    0.15 A
  • 配置
    Dual Common Base
  • 最大工作频率
    180 MHz
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
    UMT
  • 封装
    Reel
  • 功率耗散
    300 mW
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