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UTT20N06

更新时间:2025-07-07 13:38:21

供应商
产品型号
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数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市芯国创科技有限公司
UTT20N06
BOM配单
只做原装，支持账期，提供一站式配单服务
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只做原装现货

深圳市杰兴伟业电子有限公司
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深圳市芯齐壹科技有限公司展会宣传
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深圳市盈熙微科技有限公司
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深圳市南科功率半导体有限公司
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NK/南科功率
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深圳市弘芯创科技有限公司
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深圳市腾迅辉电子科技有限公司
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深圳市金科创世纪电子有限公司
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深圳市优尚半导体科技有限公司
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深圳市芯国创科技有限公司
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深圳市诚研翔科技有限公司
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深圳市恒芯巨能电子有限公司
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UTT20N06 概述

UTT20N06是来自UTC(台湾半导体)的N沟道增强型MOSFET。该器件采用TO-220封装，具有低导通电阻和高电流承载能力的特点。基础描述方面，其最大漏源电压为60V，连续漏极电流可达20A。它被广泛应用于电源管理领域，如直流-直流转换器、电机驱动控制以及电池充电电路中。在实际应用中，建议确保栅极驱动电压足够以实现最低的导通损耗。当用于电机驱动时，需注意添加适当的散热措施并合理设计PCB布局以降低寄生电感影响。例如，在一个典型的降压转换器电路中，可以将此MOSFET作为开关管使用，搭配合适的续流二极管和控制IC来实现稳定高效的电压转换功能。

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广东微尔科技有限公司

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