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VWM350-0075P

更新时间:2025-06-25 00:20:32
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VWM350-0075P外观图

VWM350-0075P

IXYS FET - 阵列

MOSFET 6N-CH 75V 340A 75V V2

  • 封装:V2-PAK
VWM350-0075P 规格参数
  • 标准包装
    6
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    -
  • FET 型
    6 N-沟道（3 相桥）
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    75V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    340A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    3.3 毫欧 @ 250A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    4V @ 2mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    450nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    -
  • 功率 - 最大
    -
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    V2-PAK
  • 供应商设备封装
    V2-PAK
  • 包装
    盒
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