闪速（flash）eeprom作为一种分立元件已经使用很多年了，它们在结构和运用等方面都与eeprom类似。闪速eeprom和eeprom之间的基本差异就在于其写入处理方面，闪速eeprom是基于热电子注人而不是隧道效应。“热”电子就是快速电子，它们由源极和漏极之间的高电位差来产生，其中一些“热”电子因受正的电荷控制栅的影响穿透隧道氧化层并存储在浮动栅上。由于这种效应使其写人时间减少到大约1011s，与普通eeprom所必须的3～10ms相比是一个很大进步。另外，其编程电压仅是12v，而eeprom是17v。第1个带有闪速eeprom和eeprom两种存储器的智能卡微控制器已经问世［atmel］，参看图1所示。这些芯片在制造过程中就把引导装人程序写入了eeprom，然后，智能卡制造商可用来下载程序代码和数据。目前，闪速eeprom单元的数据存储时间至少有10年保存期，至少有100 000次的写人/擦除循环，以及具有“字节的典型的页面大小。 图1 带有闪速eeprom的at89sc168智能卡微控制器的照片。上排的功能单元 （从左到右）是逻辑模块、ram和cpu；下排（从左到右）包
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