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Maxim MAX8784 TFT-LCD电源方案解析

4v-5.5v。效率高达90%，开关频率1.2mhz，主要用在lcd tv和lcd 监视器。本文介绍了max8784主要特性，方框图，典型工作电路图和所用元件列表，max8784评估板主要特性，电路图和评估板元件列表。 在生产过程中测试显示面板max8784工作输入电压为4v 5 5v，并且针对液晶电桃而板和液品显示器的应j}j进行了优化。该升压dc—dc稳压器为tft僳驱动器提供丁一种稳压电源电压。该升压捌节器是一个高频率（1 2mhz）、高效率电{ifc模式稳压器该升压调节器有一个内臂110m高开关频率。允许使}}i超小型电感和陶瓷电容。该电流模式架构提供r快速的瞬态响应和方便的补偿升￡芷调节器其有输出欠压保护高带宽（20mhz的）。以及高输出短路电流（200ma） 每个运算放大器都县有轨到轨流入和轨轨输出正电荷泵稳压器和负电荷泵渊节器为tft栅极驱动提供稳定的电源电雎正电荷泵是一个两阶段的电荷泉，它无需外部二板管l两个电荷泵输出的电眶可通过电阻调整其中的逻辑控制高压开关可以控制正tft栅极驱动电源max8784封裟为小型（5mm x5ram）。簿型（0. the max878

基于XC164CS的中央门锁控制设计

但熔断器一旦动作（即熔断），电路将彻底切断，需手动更换熔断器。 智能功率芯片bts7741g适合于汽车电子苛刻的应用环境。它的两个高边开关和两个低边开关具有欠压保护、对地短路保护、对电源短路保护、热关断冷却后重启等多种智能保护功能，同时两个高边开关还包含故障诊断电路，通过故障反馈引脚st可以诊断出开路故障、短路故障等故障状态，适合用于中央门锁的控制。 bts7741g内含四个mos管，两个高边开关和两个低边开关，可以灵活配置输出方式，用作h桥或者用作单独的开关均可。高边开关导通电阻为110mω，低边开关导通电阻为100mω，工作电压可达40v。 2 中央门锁控制驱动电路设计 bts7741g与微控制器连接电路如图2所示。bts7741g用作h桥，驱动中央门锁正转或反转。驱动过程靠时间来控制，电机运行一定时间（本设计取值为0.25s）产生一定的位移，实现锁定或*。电机运行时间在程序中可变。无主动制动过程，通过上管续流实现电机制动。两次中央门锁开关动作之间至少要有 0.5s时间间隔，保证mos管可靠关断。 图2 bts7741g与微控制器连接电路 上电后门锁的状

针对便携式设备充电电路的分立器件保护方案

容的击穿电压(200v以上)高于保护器件的最大额定电压(30)，因此在此类产品上可以使用一个10v/1 ?f或16v/1?f的电容。每个电容的具体击穿电压取决于所用陶瓷材料的品质。图2给出了0603/x5r/1?f/16v这款电容的直流偏置和直流击穿电压。 图2：陶瓷电容0603/x5r/1?f/16v的直流偏置和直流击穿电压。 主要产品特性 今天，我们已经可以在很小的产品封装内实现极低的rdson。例如采用2×2.5mm wdfn封装 的ncp347，其rdson只有110mω，但却能承受高达2安培的直流电流。25℃室温下墙体适配器到充电器之间的典型压降为52mv。由于损耗极小，因此此类产品可支持低输出电压的墙体适配器。适配器到充电器之间的压差越小，便携式器件的散热越少，对墙体适配器负载调节不佳的承受能力也越强。 而新型充电器结构的出现，使得内部开关能在很低的功耗下实现快速关断。一般情况下，下游系统中不会出现瞬态过压。在上面提到的例子中，典型的关断时间是1?s，最长也只有5?s。 新器件上可能会增加一个用于启动器件，或在我们希望将系统与墙体适配器隔离开时

TD-SCDMA网络在地下隧道覆盖方案中的应用

g2010＋20lgx）－8db－2db－1db－2db≥-85。可以得出：x≤300.26m。实际上，210m设计覆盖距离的边缘覆盖场强为5＋11－（32.45＋20lg2010＋20lg0.21）－8－2－1－2=-81.90db，满足相关要求。 切换区域设逻辑小区间切换时间为3s，长江隧道设计时速为50km/h，即14m/s，因此可考虑设置50m的切换区域。由之前的链路预算可以得出，实际覆盖半径可以达到265.48m，结合210m的设计覆盖距离可以计算出，隧道中段逻辑小区交叠区域约有110m，完全满足50m切换区域的设置需求。 信号外泄长江隧道位于江底，为盾构封闭性建筑，信号外泄不会对室外站点产生影响。隧道口处的延伸覆盖区域是出于对切换成功率的考虑，可通过调整pccpch功率及定向天线的下倾角，合理规划切换区域，以避免对室外站点造成不良影响。 扩容分析随着网络建设的不断深入，以及td网络技术的不断发展，尤其考虑到hspa+以及lte的不断成熟，后期需要对该隧道覆盖进行有针对性的扩容。 电磁辐射根据中华人民共和国国家标准《电磁辐射防护规定》，即国标gb8702-88

便携式设备充电电路的分立器件保护方案

电容的击穿电压(200v以上)高于保护器件的最大额定电压(30)，因此在此类产品上可以使用一个10v/1 ?f或16v/1?f的电容。每个电容的具体击穿电压取决于所用陶瓷材料的品质。图2给出了0603/x5r/1?f/16v这款电容的直流偏置和直流击穿电压。 图2：陶瓷电容0603/x5r/1?f/16v的直流偏置和直流击穿电压 主要产品特性 今天，我们已经可以在很小的产品封装内实现极低的rdson。例如采用2×2.5mm wdfn封装 的ncp347，其rdson只有110mω，但却能承受高达2安培的直流电流。25℃室温下墙体适配器到充电器之间的典型压降为52mv。由于损耗极小，因此此类产品可支持低输出电压的墙体适配器。适配器到充电器之间的压差越小，便携式器件的散热越少，对墙体适配器负载调节不佳的承受能力也越强。 而新型充电器结构的出现，使得内部开关能在很低的功耗下实现快速关断。一般情况下，下游系统中不会出现瞬态过压。在上面提到的例子中，典型的关断时间是1?s，最长也只有5?s。 新器件上可能会增加一个用于启动器件，或在我们希望将系统与墙体适配器隔离开时

65～110MHz谐波晶体振荡器

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  压进行动态控制。此外，30μs超快输出电压建立时间可确保满足 cdma规范。 as1339采用 2×2mm wl–csp封装，完全可以满足尺寸受限的电池供电应用对超小空间的要求，如手机和其它便携式无线终端设备。其2mhz固定开关频率允许使用微型超薄电感和电容，可最大限度地减小pcb尺寸。 这种恒频开关操作可产生可预测的低输出噪声，该输出噪声可通过内部降噪电路进一步降低。 as1339的峰值效率为97%，可延长各种应用的电池寿命。它支持1.1a的峰值电流，其集成的110mω旁路fet在低电池电压状态下也能够以最小的压降提供最大的功率。as1339在高功率发射时自动进入旁路模式。它还集成了两个10ma、低噪声和高psrr的ldo，用于pa偏置。每个ldo具有独立的使能控制，提供高输出电压精度，且只需要10nf的输出电容。 此外，如果不需要电源，例如移动电话在飞行模式下时，as1339可提供100na关断模式及输出断开功能。其它功能还包括软启动和安全功能等，如电流过载和热关断保护。 as1339采用微型、16焊球、2×2mm wl–csp封装

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lpc2132跑在66m能可靠稳定的工作么？

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