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1ed020i12-f供应商优质现货

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1ed020i12-f中文资料

  • 集成全新650V IGBT和发射极控制二极管芯片技术的三电平IGBT功率模块

    缘功能,其绝缘电压高达1420 vpeak。 * 集成的有源米勒箝位功能可以采用单电源来实现,这种驱动器在即便在较高开关速度条件下也不会有寄生导通风险[8]。 * 相对于传统采用光电耦合的驱动器技术,这种微型变压器技术,可大幅降低传输延迟的时间和相互之间的偏差。 * 集成的vcesat保护功能也可用于外侧开关,但对于内侧的igbt该功能需要屏蔽掉。 实验试验结果 这部分将介绍采用easypack 2b 三电平模块的开关波形。在这个电路中,igbt的igbt栅极驱动了1ed020i12-f的驱动芯片。采用电流互感器在直流母线的正端dc+或dc-来进行测量电流。 图4. 短换流的开关波形(峰值电压为550 v,电压仍在允许范围之内。) 短换流回路 图4 显示的是,在标称电流、400v直流母线电压和25°c结温条件下的短换流情况的开关波形。 图5 长换流的开关波形(峰值电压为580v。该电压仅比短换流的峰值电压高30v,仍然不超过650 v的击穿电压。) 长换流回路 图5 显示了在相同条件下的长换流的开关波形 首次试验结果表明,由于将一个完整

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1D1304-3 1CTI 1C03 1C00 1B51 1B4B42 1B32 1B31 1B22AN 1B22

1ED020I12-FA 1F14 1F20 1GWJ42 1H0165 1H0165R 1M0880 1MBH60-100 1MBH60D-100 1MHZ

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