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属膜电阻器：r12选用1w金属膜电阻器。 rt选用负温度系数热敏电阻器。 rp应选用精度较高的电位器，其温度刻度可用精度为0．1℃的水银温度计予以校准。 c1选用耐压值为50v的铝电解电容器；c2选用耐压值为16v的铝电解电容器：c3和c4均选用独石电容器；c5选用耐压值为250v的油浸聚苯乙烯电容器或cbb电容器。 vd1～vd8均选用ln4007型硅整流二极管。 vli和v12选用φ5mm的普通发光二极管。 vs1选用1n4741型硅稳压二极管；ys2选用1n4738型硅稳压二极管。 vi和y2选用3da4或3da180、2sc1096、bd239等型号的硅npn晶体管；v3选用59013或c8050型硅npn晶体管。 vt选用3ct系列的10a、600v双向晶间管。 ic1选用cd4011型四与非门集成电路；ic2选用cd4020型14级二进制串行计数器集成电路；ic3选用lf353或tl081型运算放大器集成电路。 vlc选用tac系列的光耦合器，其内部的光控晶间管应为3a、250v以上。 t选用15～20w、二次电压为15
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用1/4w碳膜电阻器或金属膜电阻器;rl2选用lw金属膜电阻器。 rt选用负温度系数热敏电阻器。 rp应选用精度较高的电位器，其温度刻度可用精度为0·lt的水银温度计予以校准。 ci选用耐压值为5ov的铝电解电容器;c2选用耐压值为16v的铝电解电容器;c3和c4均选用独石电容器;c5选用耐压值为250v的油浸聚苯乙烯电容器或cbb电容器。 vdl-vd8均选用1n4007型硅整流二极管。 vll和vl2选用φ5mm的普通发光二极管。 vsl选用ln4741型硅稳压二极管;vs2选用1n4738型硅稳压二极管。 vl和v2选用3da4或3dal80、2scl096、bd239等型号的硅npn晶体管;v3选用s9013或c8050型硅npn晶体管。 vt选用3ct系列的loa、600v双向晶呵管。 icl选用cd401l型四与非门集成电路;ic2选用cd4020型14级二进制串行计数器集成电路;ic3选用lf353或tl081型运算放大器集成电路。 vlc选用tac系列的光耦合器，其内部的光控晶闸管应为3a、250v以上。 t选用15-2ow、二次电压为l5v的电源变压器，使用

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