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Military Schottky Rectifier
MICROSEMI
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Military Schottky Rectifier
MICROSEMI [Microsemi Corporation]
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）制作sbd。si-sbd的特点是：正向压降pn结二极管的udf低，仅为后者的1/2～1/3；trr约为10 ns数量级；适用于低电压（小于50 v）的功率电子电路中（当电路电压高于100 v以上时，则要选用piv高的sbd，其正向电阻将增大许多）。此外，sbd是根据漂移现象产生电流的，不会积累，也无须移去多余的载流子，因此也就不存在正向恢复或反向恢复现象。这就是sbd的莎ⅱ很小的缘故。输出电压为4～5v的开关转换可以选用piv为25 v或45 v的si－sbd。例如1n6492、ln639l、1n6392等。sbd的缺点是：反向漏电流比普通二极管大得多，如图1所示的二极管伏安特性比较。这是因为si－sbd的结电容较大的缘故，如usd45型si－sbd的结电容约为4700 pf，而ufrd的结电容仅为5～150 pf，gaas－sbd的结电容也只有100～500 pf。 图1 二极管伏安特性的比较 有关各种快速开关二极管的参数见表1～表3c。 表1 几种典型功率二极管的主要参数 表2 si-sbd和ufrd参数级别的比较（1级最高） 表3 ufrd和si
60.0A/45V
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