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pi接口编程改变，这样使cc1100使用起来更灵活。 采样发射模块电路设计如图3所示。传感器sp12将采集到的数据发送给at48，at48将数据通过spi口送给cc1100，再由cc1100转换成数据帧发送给主机接收模块。 模块发射频率由发射芯片cc1100的晶振及外部元件决定，本系统选择发射频率433 mhz，这时引脚8和引脚10接26 mhz晶振。c2为（3.9±0.25）pf，c3为（3.9±0.25）pf，c4为（8.2±0.5）pf，c5为（5.6±0.5）pf，c6为220pf±5％，c7为220pf±5％，l2为27nh±5％，l3为27nh±5％，l4为22nh±5％，l5为27nh±5％。电阻r2用来设置一个精确的偏置电流。c3、c2、l2和l3形成一个平衡转换器，用以将cc1100上的微分rf端口转换成单端rf信号。cc1100支持振幅、频率和移相调制格式，可以通过寄存器mdm-cf2.mod_format进行配置。 通过设置cc1100寄存器worctrl将其配置为wor（电磁波激活）方式，并设置寄存器位mcs1.rx-off_mode。当采样发射模块
间：dt）。 图1 推挽大功率开关电路中，为防止同时开关，各个驱动上应具有死区时间 图2是由时钟振荡电路的输出产生推挽用输出信号的电，该电路可使out1、out2的dt部分分离。这种电路的特征 图2 死区时间死区时间发生电路 是dt通常恒定，输入频率变化，输出波形的负载也同样变化。由于需要延迟电路部分的输人波形的负载为50％，故应以规定频率的2倍作为触发电路的输入。当时钟、负载均变为50％时，就不需要触发电路。 图3是为产生约2μs的dt，r＝10kω，c＝220pf时各自的输出波形。 图3 死区时间发生电路的输出波形 (f＝20khz，r＝10kω，c＝220pf，2v/div，10μs/div) 来源:ks99
输出状态，可计算出流经r4的电流： ir4 = (vdd - vref)/r4 以及： ir4 = vref/r4 由于运放最大输入偏置电流为2na，因此，为了降低误差，流经r4的电流应总是大于0.2?a，由此可得出： r4 < 6.12mω 三角波频率计算公式如下： 本例中，取f = 25khz、vout, p-p = 4v (对应0.5v至4.5v的三角波)、vref = 1.23v。则时间常数为r4 × c = 9.27?s，选c = 220pf，得到r4 = 42.2kω。 第三步. 实验验证 如果运放没有摆率限制，实验结果应该与计算结果吻合。由于反馈电容以恒定电流充(放)电，输出信号的最大变化率为： 考虑到工艺偏差，运放的典型摆率应该比输出信号最大摆率高40%以上，在本例中为0.56v/µs。根据max9000的数据资料，其运放的摆率为0.85v/µs，所以能够产生25khz的三角波。 结论 图3所示即为图2中电路的输出波形。 图3 图2中三角波发生器的输出波形
板为0.0版，这批机器在使用一段时间后，会不定时出现背光灯熄灭的故障，待机器冷却后再次开机，背光灯又能点亮。 故障原因：在该板过压保护取样电路中，所用电压畏分配电容c180、c280、c380、c480性能较差（如图15所示），其容量随温度的变化而变化，从而引起保护电路误启动。 处理方法： 1.将c180、c280、c380、c480改为容量受温度影响较小的陶瓷贴片电容，容量为2200pf. 2.将msc1691的（14）脚外接的抗干扰电容c120改为陶瓷贴片电容，容量由220pf增大到2200pf. 【提示】实修这类故障时，若短接a板上的up焊盘（如图18所示），会造成高压下降，灯管亮度降低，此法不可取；若在msc1691的（14）脚或c120上并接一只4.7μf的电容，这样会大大降低过压保护的灵敏度，仍不可取；若短路r182或r139,增加r172的阻值，或取消电阻r137,会降低保护的阈值，甚至会取消过压、过载保护功能，这样也是不行的。 图18
z).如果希望电路能有较强的带载能力，可以选择coilcraft型号为rfb0810?152，最大可以支持400ma的电流输出. 4) 输出级滤波电容c4,c4的主要作用是平滑滤波。鉴于输出的纹波电压与c4的等效串联电阻(esr)呈函数关系，因此，要尽量选择低esr的电容。 5) 反馈稳压二极管(zd1)和电阻(r1，r2)以及三极管q2和电容c3、c4。c3、c4过大，影响空载和待机损耗；过小，反馈环路不稳定，根据实验结果，c3选择为3.3uf-10uf；c4为220pf左右。q2为较常用的npn三极管,如2n4401/2n3904等。r1、r2影响输出的精度,可以选择220±5％的电阻. 演示板描述 1)电路板布局，此设计为单层电路板，下层是铜铂，上层是丝网印刷面，演示板pcb如图2，电路板尺寸为45.9mm×20.1mm。图3是实物图。 图2：非隔离开关电源电路演示电路板 图3：非隔离开关电源电路设计实物图 2) 测试报告。 a. 基本功能测试(常温下老化30分钟)，见表1
005陶瓷电容，它们的静电容量分别为0.47uf和1uf，尺寸分别为0.6×0.3×0.3mm和1.0×0.5×0.3mm，它们的高度均只有0.3mm，特别满足当今便携式电子设备越来越薄的设计趋势。 此外，村田还展出了工作温度可达150℃的rhdl8系列和rhel8系列陶瓷电容，专门针对汽车ecu(电子控制单元)传感器电路和发动机应用市场，它们的最低工作温度均可达到-55℃，直流额定电压为50v时，rhdl8系列陶瓷电容的容值范围从0.15uf到1uf，rhel8系列陶瓷电容的容值范围则从220pf到0.1uf。直流额定电压为100v时，rhdl8系列陶瓷电容的容值范围从0.033uf到0.1uf，rhel8系列陶瓷电容的容值范围则从220pf到0.022uf。rhdl8和rhel系列陶瓷电容的尺寸分别为5.7×4.5×4.5mm和4.0×3.5×3.15mm。 欢迎转载,信息来自维库电子市场网（www.dzsc.com）
案很多，图3给出了抗干扰电路和增大发射功率的综合方案（红外数据协会检测红外产品的标准方案之一），你根据需要加装其中的一部分，如只加装抗干扰电路。抗干扰电路由电阻 r0（10，0. 5w）和电容 c1 （ 22 uf）、c2（ 0．1uf）组成，其作用是滤除干扰信号，c1的作用是滤除低频干扰；c2的作用是滤除高频干扰。如果你的计算机系统电源质量较好，该部分电路可以省略，但省略的该部分电路会对通讯效果带来一定的影响。发射电路中电阻r2（560，0．25 w）、 r3（50，0.25 w）、电容c3（220pf）、三极管q1构成脉冲放大电路，c3的作用是改善脉冲前后沿质量。实施时需根据光电接收管的性能对电阻 r4（50－500）作精心调整，方能获得最佳接收效果和接收距离。红外数据协会（ infrared data association）还提供有中距离（3m--10m）、长距离（10m--30m）、广角（120度）等方案；通讯速度为1.15mbps、 4mbps（当前大多笔记本电脑、掌上电脑使用此标准）、16mbps的通讯标准；红外近程遥控载波方案；红外网络接入方案等等；如果你感兴趣，可去“http:
案很多，图3给出了抗干扰电路和增大发射功率的综合方案（红外数据协会检测红外产品的标准方案之一），你根据需要加装其中的一部分，如只加装抗干扰电路。抗干扰电路由电阻 r0（10，0. 5w）和电容 c1 （ 22 uf）、c2（ 0．1uf）组成，其作用是滤除干扰信号，c1的作用是滤除低频干扰；c2的作用是滤除高频干扰。如果你的计算机系统电源质量较好，该部分电路可以省略，但省略的该部分电路会对通讯效果带来一定的影响。发射电路中电阻r2（560，0．25 w）、 r3（50，0.25 w）、电容c3（220pf）、三极管q1构成脉冲放大电路，c3的作用是改善脉冲前后沿质量。实施时需根据光电接收管的性能对电阻 r4（50－500）作精心调整，方能获得最佳接收效果和接收距离。
osfetbuz334；5）次级输出及光耦反馈控制电路。开关电源工作机理以及tda16846的功能介绍请参阅[3]。这里要强调的是为了抑制开关电源的噪声，除在电源的输入端接入二个共模滤波器l901,l902及中心抽头落‘冷’地的二个电容c904、c905以外，我们还在初级电感lp与buz334漏极之间接入一只快速反向恢复二极管d908，用以防止漏极电压vt的正上冲通过lp耦合到次级各输出绕组中。另外为了旁路一部分由漏极经c931，l905漏出至电网的高频脉冲分量以及减少纹波。我们接入了c906（220pf）和r932(1.8kω/2w)，经过这样处理后。用示波器监测，输入波形明显改善，谐波分量大为减少。同时电视机画面的干扰亮点变小，图象质量有所提高。实验还表明,该pfc电路对21英寸～25英寸ctv中小功率电
它混合产品中使用的低通滤波等的布局方式具有高度的灵活性。 新型的nca、ncb、ncc、ncd和nce器件可以配置一个复合二氧化硅/氮化硅电介质(mnos)，用于要求电介质吸收较低的关键微波或者高频应用，也可以配带二氧化硅电介质(mos)。 nca电容器的尺寸为0.020英寸×0.020英寸，电容量为0.5pf至51pf；ncb电容器的尺寸是0.030英寸×0.030英寸，电容量为33pf至100pf；ncc装置的尺寸是0.040英寸×0.040 英寸，电容量范围为56pf至220pf；ncd装置的尺寸是0.055英寸×0.055英寸，电容量为150pf至510pf； nce电容器的尺寸为0.060英寸×0.060英寸，电容量范围为360pf至1000pf。该系列的容差低至±2.5%。 nca、ncb和ncc电容器都有一个顶部触点，但稍大的ncd和nce型号电容器有三个平行相连的顶部触点，主要是为了方便焊接。五个型号的电容器均带有一个半导体硅基片、一个尺寸为0.005英寸×0.005英寸的铝质焊垫和一个金衬背。nc系列电容器采用vishay electro-film
片18脚。通过15脚输出驱动q1，以实现功率因数校正和过压保护。功率因数校正电路主要由q1、l3、c7、d7组成。附图6元件参数： c1、13、33：0.22μf、50v、10%；c2、3：3.3nf、125vac、10%；c4：0.33μf、250vac；c28：2.2nf、50v、10%；c6：47μf、25v、10%；c9：10nf、25v、10%；c7：120μf、250v、20%；c10、5：1.5nf、50v、2.5%；c11、16：0.0047μf、50v、10%；c12、20：220pf、2kv、10%；c14：0.068μf、160v、5%；c15：4.7μf、50v、20%；c17：2.2nf、50v、2%；c18：0.22μf、63v、10%；c19：0.068μf、250v、5%；c21：6.8nf、630v、5%；c22：22nf、630v、5%；c23：330pf、50v、10%；c26：0.1μf、250v、5%；c29：1μf、25v、10%；c30：0.1μf、25v、10%；c32：4.7nf、25v、10%；r1：0.5ω、5%、1w；r2：36kω、1/
las6351典型应用电路 上图是las6351的典型应用电路图。非稳定直流正电压田①脚输入；②脚的外接定时电容cr决定了内振荡器的工作频率．一股cr可取220pf~0.022?f；③脚的闭锁控制闸电压为0. 7v，通过r1、r2设置可用于输出过压保护。其值为0.7(1+r1／r2)；④脚为退耦电容器；⑤脚反馈输入取样于输出端的rp上，经与内基准电压比较可以调控ic的输出电压；为抑制1oohz和200khz左右的纹披，⑥脚最外连接双重滤波网络．改善误差放大器的特性；⑦为过流输出控制，过流时输出1．4v电压，可用于保护电路的驱动：⑧脚为输出开关管的发射极。las6351的外壳一般作为接地端(即电源的负极)，vd、l为开关电源的续流二极管和储能滤波电感。 来源:qick
闭锁、过热关闭等功能。 图4-63是las6351的管脚配置和内部结构框图。1脚为电源输入脚；2脚为外接震荡电容脚；3脚为抑制输入脚；4脚为基准电压脚；5脚为反馈输入脚；6脚为纹波抑制脚；7脚为电流限制输出脚；8脚为开关管发射极。las6351主要有振荡器、脉宽调制器、误差放大器、输出推动触发器、输出功率晶体管、直流电压基准及电流检测保护电路等组成。 las6351的典型应用电路如图4-64所示。 非稳定的直流电压由1脚输入，2脚外接决定内振荡器工作频率的定时电容ct，ct一般选取220pf～220nf；3脚为芯片闭锁控制，阈值电压为0.7v，荣uodianzur1和r2可将输出电压分压用于输出过压保护，过压保护动作值为0.7×（1+r1/r2）；4脚接退耦电容c3；5脚的反馈输入取样自输出端的rp，经与内部2.05v基准电压进行比较从而调节输出电压；为了抑制100khz和200khz左右的纹波，6脚外接双重滤波网络，改善误差放大器的特征。las6351的外壳一般作为接地端，即电源负端，vd1和l为续流二极管和储能滤波电感。 图4-65是采用las6351构成的可调开关稳压电源电
能与pc连用的调频广播电路 如图为能与pc连用的调频广播电路图。该电路中一些电器元件的数值：r1：47kω；r2：22kω；r3：100kω；r4：39kω；r5：47ω；r6~r12：5kω；r13~r21：15kω；c1：39pf电容；c2：47pf电容；c3：2nf电容；c4，c14：220nf电容；c5：22nf电容；c6：10nf电容；c7，c18：180pf电容；c8：150pf电容；c9：100nf电容；c10，c13：330pf电容；c11：220pf电容；c12，c16：3300pf电容；c15，c17：1800pf电容；c19，c21，c22：10mf电容；c20：10nf电容；c23：47mf电容；c24，c25：470mf电容；ic1：tda7000；ic2：lm7805；ic3：lm386；s1开关。 来源:lidy
该电路呈现出900ns的10v采集时间到0.1％的精度和一个在25°c环境条件下只有100 μv/ms的下降率。使用一个更小值的保持电容，可以获得更快的采集时间。通过从1000pf减少到220pf，对于一个10v的步骤，采集时间改善到500ns。 来源:panyueyingying
关于电容上的问题！最近发现独石电容！上的符号令我不解？电容上面写47实测为47pf电容上面写470实测为47pf电容上面写220实测为220pf电容上面写221实测为220pf我想知道！、该如何读懂现在的电容上面的标记！！ * - 本贴最后修改时间：2007-3-13 14:10:21 修改者：one16
我有并联220pf的电容.在整流管两端我都有并联220pf的电容,型号为ct8,我的输出电压为300v.
变压器中就不需要辅助绕组。此设计是蜂窝电话、pda或数码相机充电器的典型电路。 tinyswitch-ii芯片通过调制其开关频率(称为频率抖动)来降低emi，但如果没有变压器中的屏蔽绕组，此电路就需要一个2.2nf的y电容以满足emi要求(参见图2a)。移除y电容后引起的emi如图2b所示，这样的结果显然让人无法接受。 在变压器初级与次级绕组之间加入一个单匝箔屏蔽绕组，使得测量到的emi下降了大约10db(见图5a)。用一个额外的屏蔽绕组进行补充，可进一步下降10db(见图5b)。这样仅使用一个220pf的y电容就可获得一个有10db余量的好方案(图5c)，将漏电流从183ua降到18ua。不使用屏蔽绕组的电路可获得几乎同样的emi性能(图6a)，但必须在输入级(图6b)加入一个扼流圈l2(除了已有的差模滤波电感l1之外)。根据每个应用电路的不同需求，可以给变压器再加入第三个屏蔽绕组，从而进一步降低y电容的数值。 由于屏蔽绕组与初级侧开关电路和次级侧整流电路之间的相互作用，使得共模位移电流得以削弱或彻底抑制，让详尽的分析变得不再必要。但是，每一个设计的需求各不相同，这是由诸如pcb板上的元件布局
100v，220pf的吧。误差10%
多谢楼上，明天去加班测一下试试！ 260khz接多大的电容合适？220pf行不？
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