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  • Microchip推出业界最快的1 Mb串行EEPROM

    microchip technology inc宣布推出业界速度最快（20 mhz）的1 mb串行eeprom器件25aa1024及25lc1024（25xx1024）。同时，公司还推出了25aa128、25lc128、25aa512及25lc512（25xx128/512）等多款128 kb和512 kb串行eeprom器件，涵盖整个串行外设接口（spi）存储密度范围（1 kb至1 mb）。 所有新器件均可在高达125°c的温度下工作，并可提供microchip所有串行eeprom产品一贯享誉业界的卓越功能和性能，包括超过一百万次的擦/写次数，以及长达200年的数据保持能力。 最新的10 mhz 25xx128/512器件及20 mhz 25xx1024 eeprom器件可提供字节级的读写功能，既无需外部存储器，也不用在写入前擦除扇区。这样可加快编程速度，降低编程电压 ，减少元件数量并简化系统操作。此外，无论在工作还是待机状态下，各款新串行eeprom的电流均较低，从而大大降低了功耗。这些器件均采用了microchip独有的最新pmos电可擦除单元（

  • Microchip推出1 Mb串行EEPROM 25AA1024及25LC1024

    microchip推出业界速度最快（20 mhz）的1 mb串行eeprom器件25aa1024及25lc1024（25xx1024）。同时，公司还推出了25aa128、25lc128、25aa512及25lc512（25xx128/512）等多款128 kb和512 kb串行eeprom器件，涵盖整个串行外设接口（spi）存储密度范围（1 kb至1 mb）。 所有新器件均可在高达125°c的温度下工作，并可提供microchip所有串行eeprom产品一贯享誉业界的卓越功能和性能，包括超过一百万次的擦/写次数，以及长达200年的数据保持能力。 最新的10 mhz 25xx128/512器件及20 mhz 25xx1024 eeprom器件可提供字节级的读写功能，既无需外部存储器，也不用在写入前擦除扇区。这样可加快编程速度，降低编程电压，减少元件数量并简化系统操作。此外，无论在工作还是待机状态下，各款新串行eeprom的电流均较低，从而大大降低了功耗。这些器件均采用了microchip独有的最新pmos电可擦除单元（peec）工艺技术，使器件可在1.8至5.5v全电压范围下工作，并

  • Microchip推出1Mb串行EEPROM器件

    microchip technology inc.（美国微芯科技公司）宣布推出业界速度最快（20 mhz）的1 mb串行eeprom器件25aa1024及25lc1024（25xx1024）。同时，公司还推出了25aa128、25lc128、25aa512及25lc512（25xx128/512）等多款128 kb和512 kb串行eeprom器件，涵盖整个串行外设接口（spi）存储密度范围（1 kb至1 mb）。 所有新器件均可在高达125°c的温度下工作，并可提供microchip所有串行eeprom产品一贯享誉业界的卓越功能和性能，包括超过一百万次的擦/写次数，以及长达200年的数据保持能力。 最新的10 mhz 25xx128/512器件及20 mhz 25xx1024 eeprom器件可提供字节级的读写功能，既无需外部存储器，也不用在写入前擦除扇区。这样可加快编程速度，降低编程电压，减少元件数量并简化系统操作。此外，无论在工作还是待机状态下，各款新串行eeprom的电流均较低，从而大大降低了功耗。这些器件均采用了microchip独有的最新pmos电可擦除单元（peec）工艺技

  • Microchip推出1Mb串行EEPROM

    microchip technology inc.（美国微芯科技公司）宣布推出业界速度最快（20 mhz）的1 mb串行eeprom器件25aa1024及25lc1024（25xx1024）。同时，公司还推出了25aa128、25lc128、25aa512及25lc512（25xx128/512）等多款128 kb和512 kb串行eeprom器件，涵盖整个串行外设接口（spi）存储密度范围（1 kb至1 mb）。 所有新器件均可在高达125°c的温度下工作，并可提供microchip所有串行eeprom产品一贯享誉业界的卓越功能和性能，包括超过一百万次的擦/写次数，以及长达200年的数据保持能力。 最新的10 mhz 25xx128/512器件及20 mhz 25xx1024 eeprom器件可提供字节级的读写功能，既无需外部存储器，也不用在写入前擦除扇区。这样可加快编程速度，降低编程电压，减少元件数量并简化系统操作。此外，无论在工作还是待机状态下，各款新串行eeprom的电流均较低，从而大大降低了功耗。这些器件均采用了microchip独有的最新pmos电可擦除单元（peec）

  • Microchip推出1Mb串行EEPROM25AA1024及25LC1024

    microchip推出业界速度最快（20 mhz）的1 mb串行eeprom器件25aa1024及25lc1024（25xx1024）。同时，公司还推出了25aa128、25lc128、25aa512及25lc512（25xx128/512）等多款128 kb和512 kb串行eeprom器件，涵盖整个串行外设接口（spi）存储密度范围（1 kb至1 mb）。 所有新器件均可在高达125°c的温度下工作，并可提供microchip所有串行eeprom产品一贯享誉业界的卓越功能和性能，包括超过一百万次的擦/写次数，以及长达200年的数据保持能力。 最新的10 mhz 25xx128/512器件及20 mhz 25xx1024 eeprom器件可提供字节级的读写功能，既无需外部存储器，也不用在写入前擦除扇区。这样可加快编程速度，降低编程电压，减少元件数量并简化系统操作。此外，无论在工作还是待机状态下，各款新串行eeprom的电流均较低，从而大大降低了功耗。这些器件均采用了microchip独有的最新pmos电可擦除单元（peec）工艺技术，使器件可在1.8至5.5v全电压范围下工作，

  • Microchip推出１Mb串行EEPROM

    单片机和模拟半导体供应商——microchip technology inc.（美国微芯科技公司）宣布推出业界速度最快（20 mhz）的1 mb串行eeprom器件25aa1024及25lc1024（25xx1024）。同时，公司还推出了25aa128、25lc128、25aa512及25lc512（25xx128/512）等多款128 kb和512 kb串行eeprom器件，涵盖整个串行外设接口（spi）存储密度范围（1 kb至1 mb）。 所有新器件均可在高达125°c的温度下工作，并可提供microchip所有串行eeprom产品一贯享誉业界的卓越功能和性能，包括超过一百万次的擦/写次数，以及长达200年的数据保持能力。 最新的10 mhz 25xx128/512器件及20 mhz 25xx1024 eeprom器件可提供字节级的读写功能，既无需外部存储器，也不用在写入前擦除扇区。这样可加快编程速度，降低编程电压，减少元件数量并简化系统操作。此外，无论在工作还是待机状态下，各款新串行eeprom的电流均较低，从而大大降低了功耗。这些器件均采用了microchi

  • 新的串行EEPROM提供字节级读/写功能，可在高达125°C的全电压范围下工作

    microchip technology inc.（美国微芯科技公司）宣布推出业界速度最快（20 mhz）的1 mb串行eeprom器件25aa1024及25lc1024（25xx1024）。同时，公司还推出了25aa128、25lc128、25aa512及25lc512（25xx128/512）等多款128 kb和512 kb串行eeprom器件，涵盖整个串行外设接口（spi）存储密度范围（1 kb至1 mb）。 所有新器件均可在高达125°c的温度下工作，并可提供microchip所有串行eeprom产品一贯享誉业界的卓越功能和性能，包括超过一百万次的擦/写次数，以及长达200年的数据保持能力。 最新的10 mhz 25xx128/512器件及20 mhz 25xx1024 eeprom器件可提供字节级的读写功能，既无需外部存储器，也不用在写入前擦除扇区。这样可加快编程速度，降低编程电压，减少元件数量并简化系统操作。此外，无论在工作还是待机状态下，各款新串行eeprom的电流均较低，从而大大降低了功耗。这些器件均采用了microchip独有的最新pmos电可擦除单元（peec

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25LC256 25LC160 25LC1024 25LC080 25FR120 25F120 25C64 25C040 25AA640X-I/ST 25AA640-I/SN

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