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稳压二极管
与电流变化的比值。该比值随工作电流的不同而改变，一般是工作电流愈大，动态电阻则愈小。例如，2cw7c稳压管的工作电流为 5ma时，rz为18ω;工作电流为1oma时，rz为8ω;为20ma时，rz为2ω ; > 20ma则基本维持此数值。 4.pz— 额定功耗。 由芯片允许温升决定，其数值为稳定电压vz和允许最大电流izm的乘积。例如2cw51稳压管的vz为3v，izm为20ma，则该管的pz为60mwo 5.ctv— 电压温度系数。 是说明稳定电压值受温度影响的参数。例如2cw58稳压管的ctv是+0.07%/°c，即温度每升高1°c，其稳压值将升高0.07%。 6.ir— 反向漏电流。 指稳压二极管在规定的反向电压下产生的漏电流。例如2cw58稳压管的vr=1v时，ir=o.1ua;在vr=6v时，ir=10ua。 (三)选择二极管的基本原则 1.要求导通电压低时选锗管;要求反向电流小时选硅管。 2.要求导通电流大时选面结合型;要求工作频率高时选点接触型。 3.要求反向击穿电压高时选硅管。 4.要求耐高温时选硅管。 来源:零八我的爱
0.023A/9.5~10.5V
稳压管两端电压变化与电流变化的比值。该比值随工作电流的不同而改变，一般是工作电流愈大，动态电阻则愈小。例如，2cw7c稳压管的工作电流为5ma时，rz为18ω;工作电流为1oma时，rz为8ω;为20ma时，rz为2ω ; > 20ma则基本维持此数值。 4.pz— 额定功耗。 由芯片允许温升决定，其数值为稳定电压vz和允许最大电流izm的乘积。例如2cw51稳压管的vz为3v，izm为20ma，则该管的pz为60mwo 5.ctv— 电压温度系数。 是说明稳定电压值受温度影响的参数。例如2cw58稳压管的ctv是+0.07%/°c，即温度每升高1°c，其稳压值将升高0.07%。 6.ir— 反向漏电流。 指稳压二极管在规定的反向电压下产生的漏电流。例如2cw58稳压管的vr=1v时，ir=o.1ua;在vr=6v时，ir=10ua。 (三)选择二极管的基本原则 1.要求导通电压低时选锗管;要求反向电流小时选硅管。 2.要求导通电流大时选面结合型;要求工作频率高时选点接触型。 3.要求反向击穿电压高时选硅管。 4.要求耐高温时选硅管。
393 bwd136 3 9.2 280 2cw136、2cw22f bzx83-7v5 0.5 7.0 53 2cw21d2cw37-7.5、2cw56 bwd137 3 10 250 2cw137、2cw22g bzx83-9v1 0.5 8.5 43 2cw37-9.1、2cw73、2cw57 bwd138/d 3 11.5 230 2cw138 bzx83-10 0.5 9.4 40 05w10v、2cw37-10、2cw58 bwd139/d 3 12.2 200 2cw139、2cw22h bzx83-11 0.5 10.4 36 05w11v、2cw37-11、2cw398 bwd140/d 3 13.5 170 2cw140、2cw22i bzx83-13 0.5 12.4 29 05w12v、2cw37-12、zs73-12 bwd141/d 3 16 150 2cw141、2cw22j bzx83-27 0.5 25.1 14 05w
供给vt一个合适的偏置电压，适当调节电阻r1可使考毕兹振荡器工作在软激励状态。电阻r4、电容c5为专耦电路。调节电容c1，可将振荡器精密的微调在工作频率上。调节电位器rp，可改变振荡信号输出电平的大小。 元器件选择：电容cl为5～20p，c2为51p，c3、c6为100p，c4为15p，c5为100μ／32v。电阻rl为62kω，r2为300ω，r3为2．4kω，r4为360ω，1／2w，r5为15kω。电位器rp选4．7kω。三极管vt为3dgl20c，65≤β≤115。稳压二极管vd用2cw58。晶体sjt选用ja5b型-1499hz。 来源:university
电压降压供给vt一个合适的偏置电压，适当调节电阻r1可使考毕兹振荡器工作在软激励状态。电阻r4、电容c5为专耦电路。调节电容c1，可将振荡器精密的微调在工作频率上。调节电位器rp，可改变振荡信号输出电平的大小。元器件选择：电容cl为5～20p，c2为51p，c3、c6为100p，c4为15p，c5为100μ／32v。电阻rl为62kω，r2为300ω，r3为2．4kω，r4为360ω，1／2w，r5为15kω。电位器rp选4．7kω。三极管vt为3dgl20c，65≤β≤115。稳压二极管vd用2cw58。晶体sjt选用ja5b型-1499hz。 来源:university
m通电吸合，电动机m起动运转。 一旦三相交流电源的相序接错或出现缺相时，则与非门d4输出高电平，使v1、v2和vt均截止，ka和km不吸合或释放，从而达到了保护电动机的目的。 元器件选择 r1～r3和r9均选用1w金属膜电阻器；m～r8选用1／4w金属膜电阻器或碳膜电阻器。 c1选用耐压值为16v的铝电解电容器；c2选用耐压值为630v的cbb电容器。 vd1～vd3选用2cp18型硅普通二极管或1 n4007型硅整流二极管。 vs1～vs3均选用2cw17、2cw58（10v、1／4w）或1n5240（1／2w、10v）的硅稳压二极管。 ur选用1a、50v的整流桥堆。 v1选用58550或3cg8550、3ck2型硅pnp晶体管；1／2选用3dg12或c8050、58050型硅npn晶体管。 ic选用cd4011或cc4011、c036型四与非门集成电路。 vt选用3cts3或tlc336a（3a、600v）型双向晶闸管。 t选用3～5w、二次电压为12v的电源变压器。 ka选用线圈电压为交流2201／的中间继电器。
端电压变化与电流变化的比值。该比值随工作电流的不同而改变，一般是工作电流愈大，动态电阻则愈小。例如，2cw7c稳压管的工作电流为5ma时，rz为18ω;工作电流为1oma时，rz为8ω;为20ma时，rz为2ω ; > 20ma则基本维持此数值。 4.pz— 额定功耗。 由芯片允许温升决定，其数值为稳定电压vz和允许最大电流izm的乘积。例如2cw51稳压管的vz为3v，izm为20ma，则该管的pz为60mwo 5.ctv— 电压温度系数。 是说明稳定电压值受温度影响的参数。例如2cw58稳压管的ctv是+0.07%/°c，即温度每升高1°c，其稳压值将升高0.07%。 6.ir— 反向漏电流。 指稳压二极管在规定的反向电压下产生的漏电流。例如2cw58稳压管的vr=1v时，ir=o.1ua;在vr=6v时，ir=10ua。 (三)选择二极管的基本原则 1.要求导通电压低时选锗管;要求反向电流小时选硅管。 2.要求导通电流大时选面结合型;要求工作频率高时选点接触型。 3.要求反向击穿电压高时选硅管。 4.要求耐高温时选硅管。
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