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2N3019 NPN SILICON TRANSISTOR SEME-LAB 2N3019PDF下载
2N3019 HIGH CURRENT, HIGH FREQUENCY AMPLIFI... STMICROELECTRONICS 2N3019PDF下载
2N3019 NPN medium power transistor PHILIPS 2N3019PDF下载
2N3019 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR MICROSEMI 2N3019PDF下载
2N3019 Small Signal Transistors CENTRAL 2N3019PDF下载
2N3019 NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSIS... CDIL 2N3019PDF下载
2N3019 NPN SILICON AF MEDIUM POWER AMPLIFIE... MICRO-ELECTRONICS 2N3019PDF下载
2N3019 GENERAL TRANSISTOR NPN SILICON BOCA 2N3019PDF下载
2N3019 NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR INFINEON 2N3019PDF下载

2n3019价格行情

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历史最低报价：￥0.5000 历史最高报价：￥30.0000 历史平均报价：￥6.3216

型号厂家封装批号数量日期价格
2N3019 99+ 2004/12/10 0:00:00 0.5000/pcs
2N3019 ST CAN3PIN 2010/4/24 0:00:00 1.5000/pcs
2N3019 ST 2009/11/30 0:00:00 1.5000/pcs
2N3019 MOT CAN3 0425+ 50 2015/4/7 10:16:47 1.6000/pcs
2N3019 MTO 05+ CAN 3250 2012/6/19 14:22:45 1.8000/pcs
2N3019 st TO39 10+ 2000 2012/6/18 10:30:58 1.8000/pcs
2N3019 14+ 900 2015/4/6 9:14:38 2.5000/pcs
2N3019 ST/ON TO-39 04+ 2008/9/2 0:00:00 2.5000/pcs
2N3019 ST/MOT/0N TO-39 04+ 2008/9/2 0:00:00 2.5000/pcs
2N3019 MOT METALCAN3PIN DC9810 2006/7/19 0:00:00 2.6000/pcs

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标准包装:
500
类别:
分离式半导体产品
家庭:
晶体管(BJT) - 单路
系列:
-
晶体管类型:
NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大）:
1A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）:
80V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:
500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大）:
-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):
100 @ 150mA，10V
功率 - 最大:
800mW
频率 - 转换:
100MHz
安装类型:
通孔
封装/外壳:
TO-205AD，TO-39-3 金属罐
供应商设备封装:
TO-39
包装:
管件
其它名称:
497-2634-5

2N3019
1.0A/140V

多频信号发生器电路
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晶体管类型:

电流 - 集电极 (Ic)（最大）:

电压 - 集电极发射极击穿（最大）:

Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:

电流 - 集电极截止（最大）:

在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):

功率 - 最大:

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安装类型:

封装/外壳:

供应商设备封装:

包装:

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