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2N4125 Small Signal Transistors CENTRAL 2N4125PDF下载
2N4125 PNP General Purpose Amplifier FAIRCHILD 2N4125PDF下载
2N4125 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SAMSUNG 2N4125PDF下载
2N4125 Small Signal Transistors CENTRAL [Central Semiconductor Corp] 2N4125PDF下载
2N4125 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SAMSUNG [Samsung semiconductor] 2N4125PDF下载
2N4125 PNP General Purpose Amplifier FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor] 2N4125PDF下载
2N4125BU Small Signal Bipolar Transistor, 0.2... FAIRCHILD 2N4125BUPDF下载
2N4125TA Small Signal Bipolar Transistor, 0.2... FAIRCHILD 2N4125TAPDF下载
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2n4125价格行情

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历史最低报价：￥0.1700 历史最高报价：￥0.6000 历史平均报价：￥0.3625

型号厂家封装批号数量日期价格
2N4125 TO-92 2005/5/17 0:00:00 0.1700/pcs
2N4125 MOTOROLA 95 TO-92 2008/1/21 0:00:00 0.1800/pcs
2N4125 MOTOROLA TO-92 1995 2008/1/21 0:00:00 0.2500/pcs
2N4125 TO92 2005/5/17 0:00:00 0.2500/pcs
2N4125 FSC TO-92 06+ 2008/1/21 0:00:00 0.4500/pcs
2N4125 ON TO92 2008/10/7 0:00:00 0.5000/pcs
2N4125 04+ 2005/5/17 0:00:00 0.5000/pcs
2N4125 FAIR 2008/10/7 0:00:00 0.6000/pcs

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相关电路图

制造商:
Fairchild Semiconductor
晶体管极性:
PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO:
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO:
4 V
最大直流电集电极电流:
0.2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min:
50
配置:
Single
最大工作温度:
+ 150 C
安装风格:
Through Hole
封装 / 箱体:
TO-92
集电极连续电流:
0.2 A
最小工作温度:
- 55 C
功率耗散:
625 mW

单结晶体管振荡电路
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晶体管极性:

集电极—发射极最大电压 VCEO:

发射极 - 基极电压 VEBO:

最大直流电集电极电流:

直流集电极/Base Gain hfe Min:

配置:

最大工作温度:

安装风格:

封装 / 箱体:

集电极连续电流:

最小工作温度:

功率耗散:

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