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当前位置：维库电子市场网>IC>2n60 更新时间:2024-04-28 02:45:03

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历史最低报价：￥0.1000 历史最高报价：￥10.0000 历史平均报价：￥0.8535

2n60中文资料

  • LED照明驱动选择与设计技巧揭秘

    果c、v和f不能改变，那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入额外的功耗。再简单一点，就是考虑更好的散热吧。 2、功率管发热功率管的功耗分成两部分，开关损耗和导通损耗。要注意，大多数场合特别是led市电驱动应用，开关损害要远大于导通损耗。开关损耗与功率管的cgd和cgs以及芯片的驱动能力和工作频率有关，所以要解决功率管的发热可以从以下几个方面解决： a、不能片面根据导通电阻大小来选择mos功率管，因为内阻越小，cgs和cgd电容越大。如1n60的cgs为250pf左右，2n60的cgs为350pf左右，5n60的cgs为1200pf左右，差别太大了，选择功率管时，够用就可以了。 b、剩下的就是频率和芯片驱动能力了，这里只谈频率的影响。频率与导通损耗也成正比，所以功率管发热时，首先要想想是不是频率选择的有点高。想办法降低频率吧！不过要注意，当频率降低时，为了得到相同的负载能力，峰值电流必然要变大或者电感也变大，这都有可能导致电感进入饱和区域。如果电感饱和电流够大，可以考虑将ccm（连续电流模式）改变成dcm（非连续电流模式），这样就需要增加一个负载电容了。

  • 电源方面的控制知识（新手必备）

    、电压取样电阻 当供电绕组电压取22v时，fb基准为2v ，上下取样电阻正好为10比1，取6.8k和68k 8、电流检测电阻rcs rcs=vth_oc/ipk=0.91/0.424=2.15 用2.7并11欧电阻 9、二极管反压 =vin_max/n+vo=264*1.41/3.03+25.8=149v 取耐压200v的sf14 10、mos耐压及 漏感尖峰取 vlk75v =vin_max+vor+vlk=373+81+75=529v 考虑到功耗选用2n60。 来源:liren

  • LED驱动设计5大技巧要领

    分到芯片外的器件，注意不要引入额外的功耗。再简单一点，就是考虑更好的散热吧。 2、功率管发热 关于这个问题，也见到过有人在电源网论坛发过贴。功率管的功耗分成两部分，开关损耗和导通损耗。要注意，大多数场合特别是led市电驱动应用，开关损害要远大于导通损耗。开关损耗与功率管的cgd和cgs以及芯片的驱动能力和工作频率有关，所以要解决功率管的发热可以从以下几个方面解决：a、不能片面根据导通电阻大小来选择mos功率管，因为内阻越小，cgs和cgd电容越大。如1n60的cgs为250pf左右，2n60的cgs为350pf左右，5n60的cgs为1200pf左右，差别太大了，选择功率管时，够用就可以了。b、剩下的就是频率和芯片驱动能力了，这里只谈频率的影响。频率与导通损耗也成正比，所以功率管发热时，首先要想想是不是频率选择的有点高。想办法降低频率吧！不过要注意，当频率降低时，为了得到相同的负载能力，峰值电流必然要变大或者电感也变大，这都有可能导致电感进入饱和区域。如果电感饱和电流够大，可以考虑将ccm（连续电流模式）改变成dcm（非连续电流模式），这样就需要增加一个负载电容了。 3、工作

  • 浅析LED驱动设计五大技巧要领

    分到芯片外的器件，注意不要引入额外的功耗。再简单一点，就是考虑更好的散热吧。 2、功率管发热 关于这个问题，也见到过有人在电源网论坛发过贴。功率管的功耗分成两部分，开关损耗和导通损耗。要注意，大多数场合特别是led市电驱动应用，开关损害要远大于导通损耗。开关损耗与功率管的cgd和cgs以及芯片的驱动能力和工作频率有关，所以要解决功率管的发热可以从以下几个方面解决：a、不能片面根据导通电阻大小来选择mos功率管，因为内阻越小，cgs和cgd电容越大。如1n60的cgs为250pf左右，2n60的cgs为350pf左右，5n60的cgs为1200pf左右，差别太大了，选择功率管时，够用就可以了。b、剩下的就是频率和芯片驱动能力了，这里只谈频率的影响。频率与导通损耗也成正比，所以功率管发热时，首先要想想是不是频率选择的有点高。想办法降低频率吧！不过要注意，当频率降低时，为了得到相同的负载能力，峰值电流必然要变大或者电感也变大，这都有可能导致电感进入饱和区域。如果电感饱和电流够大，可以考虑将ccm（连续电流模式）改变成dcm（非连续电流模式），这样就需要增加一个负载电容了。 3、工作

  • 2N6028RLRAG的技术参数

    产品型号:2N6028RLRAG
    门极到阳极最大漏电流IGAO Max (uA):0.010
    峰值电流IP Max(uA):0.150
    偏移电压VT Min(V):0.200
    偏移电压VT Max(V):0.600
    谷电流IV Max(uA):25
    封装/温度(℃):TO92/-50~100
    价格/1片(套):￥1.30

  • 2N6028G的技术参数

    产品型号:2N6028G
    门极到阳极最大漏电流IGAO Max (uA):0.010
    峰值电流IP Max(uA):0.150
    偏移电压VT Min(V):0.200
    偏移电压VT Max(V):0.600
    谷电流IV Max(uA):25
    封装/温度(℃):TO92/-50~100
    价格/1片(套):￥1.30

  • 2N6028的技术参数

    产品型号:2N6028
    门极到阳极最大漏电流IGAO Max (uA):0.010
    峰值电流IP Max(uA):0.150
    偏移电压VT Min(V):0.200
    偏移电压VT Max(V):0.600
    谷电流IV Max(uA):25
    封装/温度(℃):TO92/-50~100
    价格/1片(套):￥1.30


    ...

  • 2N6027RLRAG的技术参数

    产品型号:2N6027RLRAG
    门极到阳极最大漏电流IGAO Max (uA):0.010
    峰值电流IP Max(uA):2
    偏移电压VT Min(V):0.200
    偏移电压VT Max(V):1.600
    谷电流IV Max(uA):50
    封装/温度(℃):TO92/-50~100
    价格/1片(套):暂无


    &...

  • 2N6027的技术参数

    产品型号:2N6027
    门极到阳极最大漏电流IGAO Max (uA):0.010
    峰值电流IP Max(uA):2
    偏移电压VT Min(V):0.200
    偏移电压VT Max(V):1.600
    谷电流IV Max(uA):50
    封装/温度(℃):TO92/-50~100
    价格/1片(套):￥1.30


    &nbs...

  • 2011年1月7日维库电子市场网IC报价

    产品型号厂 家封 装批 号数 量价 格供应商 lnbp13sp-trst 10+ 1200 8.25元深圳市佰昇电子有限公司2n60fai国产 to-252 100000 0.68元深圳市豪林电子有限公司s3c2440samsung bga 05+ 10000 40.00元双赢实业国际有限公司fmb-g24hsanken to-220f 08+pb 20000 1.70元鑫源达电子（香港）有限公司bts711l1infineon sop20 09+ 2560 6.50元双赢实业国际有限公司tps61020drcrti/bb 0940+ 10500 6.00元深圳市博尔斯特科技有限公司bts711l1infineon sop 10+ 1000 33.00元深圳市龙锋电子科技有限公司bts711l1inf sop 09+ 5000 28.00元深圳市奥利腾科技有限公司ne556st sop14 10+ 6000 0.90元深圳市恒创伟电子科技有限公司tca355tca smd 09+ 6000 12.00元深圳创辉科技电子有限公司bts711l1infineon sop20 2009+ 1

  • 凌云国际——全球知名企业的首选合作伙伴

    通讯、电信、工控、安防、電源、醫療設備及軍工產品等等。 凭借着公司十年来的不懈努力，多年来不断获得 on semiconductor颁发的「最佳分销商大奖」和fairchild semiconductor corporation颁发 的「最佳销售表现奖」，奖项无数，备受赞誉。 目前主要代理美国福斯特first semiconductor 和韩国kec,授权分销美国安森美（onsemi）半导体，经营产品为二极管、三极管、mos管、肖特基、快恢复、可控硅，集成电路 mos管。 热卖型号：2n60 5n60 8n60 10n60 12n60 3n80 8n80 50n06 75n075,mbr10100、mbr20100、mbr1045、mbr2045、mbr20200……

  • 多功能充电器 四

    压值为25v的铝电解电容器;clo、cll和c14均选用耐压值为16v的铝电解电容器。 vdl和vd4均选用1n4007型硅整流二极管;vd2选用ln5819型整流二极管;vd3选用fr101型快恢复二极管或1n4148型硅开关二极管。 vll-vl3均选用φ5mm的发光二极管。 vl选用3ca5a或bd786、2sb772型硅pnp晶体管;v2选用s9013或3dgl2ob·、2sc945型硅npn晶体管;v3选用3dalo0或2sc2285、2sc5609型硅npn晶体管。 vf选用2n60型场效应晶体管。 icl选用ka3842b型单端输出式脉宽调制开关电源集成电路;ic2选用78肋5型三端稳压集成电路;ic3选用ks86c4104型微处理器集成电路。 ll和l2均选用滤波用电感线圈;l3选用小型扼流圈。 s选用动合 (常开)型按钮。 bc选用4mhz晶体振荡器。 来源:university

  • 需求 低成本方案 2N60

    需求 低成本方案 2n60那位对这方面比较内行呢 mosfet 2n60 不用ic驱动 也不用tl431用三极管，稳压管的方案 ac=>dc 12v

  • 5V 转 3.3V 设计？

    你们好 我们是bcd的正规代理 如果你有需求 可以联系我们而且我们的工程还可以协同你们的工程一起解决技术上面的问题如果还不能解决 我们将由bcd原厂的工程师一起帮你们解决如果可以 请联系我们还有任何问题可以联系我们 我们现在主要代理美国bcd （az431 az358 ap4313 az1117 az108 az317 az494 ap3101）台湾强茂panjit (sb360 sb560 sb3100 sb10100 sb20100)华晶 huajing (1n60 2n60 4n60 8n60) tel.0755-83469079 fax.25327326msn:xinqing0313@live.cnqq:412995228地址：深圳福田区华福路1006号航都大厦10a姓名：郑r 13418780481email：wood@junwell-corp.com

2n60替代型号

2N5961 2N5909 2N5886G 2N5886 2N5832 2N5812 2N5777 2N5772 2N5770 2N5745

2N6008 2N6027 2N6027G 2N6027RLRAG 2N6028 2N6028G 2N6028RLRAG 2N6034G 2N6040G 2N6043G

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2SA1020-Y 2SB1189T100R 2SC4617TLR 2SK1109 2SC2412KT146R 25LC040AT-I/SN 2SK2699 2SA1797 T100Q 24LC21AT/SN 2PB710AS

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