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2N6341 High-Power NPN Silicon Transistors ONSEMI 2N6341PDF下载
2N6341 HIGH-POWER NPN SILICON TRANSISTORS BOCA 2N6341PDF下载
2N6341 POWER TRANSISTOR(25A,200W) MOSPEC 2N6341PDF下载
2N6341 NPN POWER SILICON TRANSISTOR MICROSEMI 2N6341PDF下载
2N6341 isc Silicon NPN Power Transistors ISC [Inchange Semiconductor Company Limited] 2N6341PDF下载
2N6341 Silicon NPN Power Transistors SAVANTIC [Savantic, Inc.] 2N6341PDF下载
2N6341 100, 120, 140, 150 VOLTS 250 WATTS 2N6341PDF下载
2N6341G TRANS NPN 150V 25A TO-3 2N6341GPDF下载
2N6341G BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 150V, TO-3;... ON Semiconductor 2N6341GPDF下载
2N6341X TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)C... ETC 2N6341XPDF下载

2n6341价格行情

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历史最低报价：￥5.0000 历史最高报价：￥45.0000 历史平均报价：￥19.7222

型号厂家封装批号数量日期价格
2N6341 MOT 01+ 2006/10/26 0:00:00 5.0000/pcs
2N6341 TO-3 2004/11/19 0:00:00 5.5000/pcs
2N6341 TO-3 280 2005/12/17 0:00:00 10.0000/pcs
2N6341 ON TO-3 03+ 2007/1/27 0:00:00 12.0000/pcs
2N6341 2006/10/26 0:00:00 12.0000/pcs
2N6341 TO-3 00+ 2005/4/5 0:00:00 20.0000/pcs
2N6341 TO-3 DC05 2007/1/26 0:00:00 30.0000/pcs
2N6341 ON TO-3 DC05+ 2006/10/26 0:00:00 38.0000/pcs
2N6341 ON TO-3 DC04+ 2005/12/17 0:00:00 45.0000/pcs

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标准包装:
100
类别:
分离式半导体产品
家庭:
晶体管(BJT) - 单路
系列:
-
晶体管类型:
NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大）:
25A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）:
150V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:
1.8V @ 2.5A，25A
电流 - 集电极截止（最大）:
50µA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):
30 @ 10A，2V
功率 - 最大:
200W
频率 - 转换:
40MHz
安装类型:
通孔
封装/外壳:
TO-204AA，TO-3
供应商设备封装:
TO-3
包装:
托盘

2N6341G的技术参数
产品型号:2N6341G
类型:NPN
集电极－发射集最小雪崩电压VCEO(V):150
集电极最大持续电流IC(Max)(A):25
直流电流增益hFE最小值(dB):30
直流电流增益hFE最大值(dB):120
最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):40
功率耗散PD（W）@25℃:...

2N6341
25.0A/180V

开关电源低温实验问题
目前的器件因为今天低温箱没空的所以今天还做不了ic: sg1524 开关管大功率开关晶体管 2n6341在电路里有过流保护设置准备去掉做一下看小弟刚做时间不长 ov oc uv可以说的通俗些吗?呵呵我正在积累中另外启动电容的选择是指在输入上加的大电容吗现在用的22uf/100v 2个还真是头疼啊这个问题一周多了另外可控硅在低温下有可能误操作吗?我的几块板[同一模式]其中有一个可控硅出现直通啊以前常温做的觉的还可以一到低温问题就出来了看来还是实验不够多积累的东西不够啊

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Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:

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