2SA607
PNP/NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
ETC
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2SA607
PNP/NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
ETC [ETC]
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0.7A/100V
提高直流工作点的稳定性;vt6是为输出级提供偏置电流的电路，调节rp3的阻值使输出级空载电流约为0.1a。若与功率晶体管进行热藕合，则可以对偏置电流进行温度补偿。c1为相位补偿电容，需要在20一5oμf之间进行调节。 图1场效应管直流功率放大器电路图 电路中，vt1使用e4oo场效应晶体管;vt2使用2sk3oa场效应晶体管;vt3、vt4和vt5使用2sa818晶体管;vt6使用2scl222晶体管;vt7和vt8使用2sc1628晶体管;vt9使用2sc960晶体管;vt10使用2sa607晶体管;vt11使用2sd188场效应晶体管;vt12使用2sa27晶体管。
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