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isc Silicon NPN RF Transistor
ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
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NPN SILICON TRANSISTOR
NEC [NEC]
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0.05A/30V
周围空间辐射无线电波。 制作时,音频调制单元电路与射频单元电路应分别制作在两块电路板上。射频单元电路应采取整体屏蔽措施。w1、w2为同轴音量电位器,ic1选用优质价廉的靓声运放ne5532。ic2选用njm2035d。jx1 选用38khz晶体。d1选用普通的发光二极管。w3为10k微调电阻。r1~r18选用1/16w五色环金属膜电阻。c1~c21选用优质电容。jx2选用15.3mhz晶体。c23、c46、c47均为5/25pf的高频微调电容。v1、v2、v3选用2sc2787,v4、v5选用2sc2026。v6选用2sc2538,该管参数为:pcm=3w,icm=0.4a,ft=175mhz。变容二极管d2选用is2236。c23~c56除c42、c56为优质电解电容外,其余均为高频瓷片电容。r19~r38选用1/8w普通碳膜电阻,r39选用1w碳膜电阻。t1~t6均是在7×7型高频中周上绕制而成,t1的初级用φ0.21mm的高频漆包线在第1~3槽内各绕6匝,次级在第3槽内绕3匝;t2用φ0.21mm的高频漆包线在第1、第2槽内各绕9匝;t3、t4用φ0.38mm的高频漆包线在第1~3槽内各绕2