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ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
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Power Transistors
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CE...
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CE...
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2.集电极最大允许直流电流（icm） 一般要求用icm与原管相等或较大的晶体管进行置换（代换）。 实际不同厂家关于icm的规定有所不同，有时差别很大，我们要注意到厂家给出的测试条件。常见的有以下几种： ⑴根据集电极引线允许通过的最大电流值确定icm。这个数值可能很大，例如，一只pcn=200mw的晶体管，其icm可能会超过1a。 ⑵根据pcm确定icm，即pcm=icm×uce确定icm。这个规定下的pcm值比普通晶体管较小，比开关管较大，例如pcm都是10w的普通晶体管2sc2209和开关管2sc2214，其icm值却分别为1.5a和4a。 ⑶根据晶体管参数（饱和压降、电流放大系数等）允许变化的极限值确定icm。例如3dd103a晶体管的icm是按其β值下降到实测值的1/3时确定的（icm=3a）。 3.击穿电压 用于置换（代换）的晶体管，必须能够在整机中安全地承受最高工作电压。晶体管的击穿电压参数主要有以下5个： ⑴bvcbo：集电极-基极击穿电压。它是指发射极开路，集电极电流ic为规定值时，集电极-基极间的电压降（该电压降称为对应的击穿电压，以下的相
2.集电极最大允许直流电流（icm） 一般要求用icm与原管相等或较大的晶体管进行置换（代换）。 实际不同厂家关于icm的规定有所不同，有时差别很大，我们要注意到厂家给出的测试条件。常见的有以下几种： ⑴根据集电极引线允许通过的最大电流值确定icm。这个数值可能很大，例如，一只pcn=200mw的晶体管，其icm可能会超过1a。 ⑵根据pcm确定icm，即pcm=icm×uce确定icm。这个规定下的pcm值比普通晶体管较小，比开关管较大，例如pcm都是10w的普通晶体管2sc2209和开关管2sc2214，其icm值却分别为1.5a和4a。 ⑶根据晶体管参数（饱和压降、电流放大系数等）允许变化的极限值确定icm。例如3dd103a晶体管的icm是按其β值下降到实测值的1/3时确定的（icm=3a）。 3.击穿电压 用于置换（代换）的晶体管，必须能够在整机中安全地承受最高工作电压。晶体管的击穿电压参数主要有以下5个： ⑴bvcbo：集电极-基极击穿电压。它是指发射极开路，集电极电流ic为规定值时，集电极-基极间的电压降（该电压降称为对应的击穿电压，以下
1.5A/50V
pcm较小的晶体管置换（代换）。2.集电极最大允许直流电流（icm）一般要求用icm与原管相等或较大的晶体管进行置换（代换）。实际不同厂家关于icm的规定有所不同，有时差别很大，我们要注意到厂家给出的测试条件。常见的有以下几种：⑴根据集电极引线允许通过的最大电流值确定icm。这个数值可能很大，例如，一只pcn=200mw的晶体管，其icm可能会超过1a。⑵根据pcm确定icm，即pcm=icm×uce确定icm。这个规定下的pcm值比普通晶体管较小，比开关管较大，例如pcm都是10w的普通晶体管2sc2209和开关管2sc2214，其icm值却分别为1.5a和4a。⑶根据晶体管参数（饱和压降、电流放大系数等）允许变化的极限值确定icm。例如3dd103a晶体管的icm是按其β值下降到实测值的1/3时确定的（icm=3a）。3.击穿电压用于置换（代换）的晶体管，必须能够在整机中安全地承受最高工作电压。晶体管的击穿电压参数主要有以下5个：⑴bvcbo：集电极-基极击穿电压。它是指发射极开路，集电极电流ic为规定值时，集电极-基极间的电压降（该电压降称为对应的击穿电压，以下的相同）。⑵bvceo：集电极-
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