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2SD2012 NPN SILICON POWER TRANSISTOR STMICROELECTRONICS 2SD2012PDF下载
2SD2012 Silicon NPN Power Transistors ISC [Inchange Semiconductor Company Limited] 2SD2012PDF下载
2SD2012 AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPL... Toshiba 2SD2012PDF下载
2SD2012_03 NPN SILICON POWER TRANSISTOR TOSHIBA 2SD2012_03PDF下载
2SD2012_03 NPN SILICON POWER TRANSISTOR STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics] 2SD2012_03PDF下载
2SD2012_06 Silicon NPN Triple Diffused Type TOSHIBA 2SD2012_06PDF下载
2SD2012_06 Silicon NPN Triple Diffused Type TOSHIBA [Toshiba Semiconductor] 2SD2012_06PDF下载

2sd2012价格行情

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历史最低报价：￥0.3100 历史最高报价：￥9.0000 历史平均报价：￥1.4082

型号厂家封装批号数量日期价格
2SD2012 TOS TO-220 2008/10/13 0:00:00 0.3100/pcs
2SD2012 TOS TO-220F 2008/10/13 0:00:00 0.5000/pcs
2SD2012 ROHM/B10 TO-220 2008/11/17 0:00:00 0.5200/pcs
2SD2012 TOSHIBA TO-220 2008/11/17 0:00:00 0.5200/pcs
2SD2012 TOSHIBA TO-220 2008/11/18 0:00:00 0.5500/pcs
2SD2012 ROHM/B10 TO-220 2008/10/13 0:00:00 0.5500/pcs
2SD2012 TOSHIBA TO-220 2008/10/14 0:00:00 0.5800/pcs
2SD2012 TOS TO-220F 2008/11/18 0:00:00 0.6000/pcs
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2SD2012 TOSHIBA TO-220F 05+ 3000 2010/5/22 14:33:54 0.6500/pcs

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标准包装:
50
类别:
分离式半导体产品
家庭:
晶体管(BJT) - 单路
系列:
-
晶体管类型:
NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大）:
3A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）:
60V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:
1V @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大）:
-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):
100 @ 500mA，5V
功率 - 最大:
25W
频率 - 转换:
3MHz
安装类型:
通孔
封装/外壳:
TO-220-3 整包
供应商设备封装:
TO-220F
包装:
管件
其它名称:
497-5900-5

2SD系列三极管参数
| 2sd1994 si-n 60v 1a 1w 200mhz2sd1996 si-n 25v 0.5a 0.6w 200mhz | 2sd200 si-n 1500v 2.5a 10w2sd2006 si-n 80v 0.7a 1.2w 120mhz | 2sd2007 si-n 40v 2a 1.2w 100mhz2sd2010 n-darl 60v 2a 1.2w b>1000 | 2sd2012 si-n 60v 3a 25w 3mhz2sd2018 n-darl+d 60v 1a 5w b>6k5 | 2sd2052 si-n 150v 9a 100w 20mhz2sd2061 si-n 80v 3a 30w 8mhz | 2sd2066 si-n 160v 12a 120w2sd2088 n-darl+d 60v 2a 0.9w b>2k | 2sd2125

2SD2028 2SD2033 2SD2052 2SD2061 2SD2066 2SD2125 2SD2136 2SD2141 2SD2142 2SD2142K

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电流 - 集电极截止（最大）:

在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):

功率 - 最大:

频率 - 转换:

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