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只做原装现货
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国产品牌isc,替代进口
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一级代理,原装假一罚十价格优势长期供货
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深圳原装现货,可看货可提供拍照
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TO220/23+
柒号芯城,离原厂的距离只有0.07公分
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SILICON EPITAXAL PLANAR TRANSISTOR(G...
WINGS
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2SD401
Silicon NPN Power Transistors
ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
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SILICON EPITAXAL PLANAR TRANSISTOR(G...
WINGS [ Wing Shing Computer Components ]
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2SD401A
VERTICAL DEFLECTION OUTPUT FOR COLOR...
NEC
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2SD401A
Color TV Vertical Deflection Output
ETC
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2SD401A
POWER TRANSISTORS(2A,150V,25W)
MOSPEC
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2SD401A
Silicon NPN Power Transistors
ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
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2SD401A
POWER TRANSISTORS(2A,150V,25W)
MOSPEC [Mospec Semiconductor]
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2SD401AK
TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)C...
MOSPEC
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2SD401AL
TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)C...
MOSPEC
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选用耐压值为i6v的铝电解电容器;c3和c4选用独石电容器或涤纶电容器。 vd1选用1n4001或1n4007型硅整流二极管;vd2和vd3选用不着n4148型硅开关二极管。 vl选用φ3mm的发光二极管。 vs1和vs2均选用1/2w的硅稳压二极管。 ur选用2a、5ov的整流全桥。 v1选用3calof或3cd568、2sa940、2n6476等型号的硅pnp晶体管;v2选用s90133或c8050型硅npn晶体管;v3选用3ddl00a或3da410、bd410、mje5655、2sd401、2sd381等型号的硅npn晶体管。 ic选用cd4o11型四与非门集成屯路。 t选用low、二次电压为l2v的电源变压器。 来源:零八我的爱
2.0A/200V
雾量的大小。 元器件选择 rl、r4和r8均选用2w金属膜电阻器;r2、r5-r7选用1/4w金属膜电阻器或碳膜电陆器;r3选用lw金属膜电阻器。 rpl选用实心电位器或合成膜电位器;rp2选用可变电阻器。 cl、c5-clo均选用耐压值为160v的涤纶电容器或独石电容器;c2选用耐压值为63v的铝电解电容器;c3和c4均选用耐压值为16v的铝电解电容器。 vd选用1n4007型硅整流二极管。 vs选用lw、l2.6v的硅稳压二极管。 ur选用3a、loov的整流桥堆。 vl选用2sd401或3da4o1a、2sdi138、2n5655、bd4i0等型号的硅npn晶体管;v2和v3选用2sdl163或3dk2o6f、bu406等型号的硅npn晶体管。 ic选用ne555型时基集成电路。 t选用30-40w、二次电压为36v的电源变压器。 kl和k2均选用l2v直流继电器。 b选用压电式超声波雾化头。 ha选用电磁式蜂鸣器。
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相关元件pdf下载:2sa940 9013 2sd401 cd4011
可以改变振荡分频器的工作频率,从而改变按摩动作的节奏。 调节rp2的阻值,可以改变脉冲电压的幅度,从而改变按摩或敲击的强度。 元器件选择 rl-r5选用1/4w或1/8w的碳膜电阻器。 rpl选用小型合成膜电位器;r陀选用带开关的小型合成膜电位器 (与s3为一体)。 cl和c5选用独石电容器或涤纶电容器;c2-c4均选用耐压值为l6v的铝电解电容器。 vd选用1n4007型硅整流二极管。 vl选用φ5mm的发光二极管。 vl选用s9014型硅npn晶体管;v2选用3da4o1a或2sd401、2n5655、mje5655型npn晶体管。 ic选用cd4060型时序分频器集成电路。 s1选用小型拨动式开关;s2选用双极双位开关。 xs和xp选用φ3.5mm的耳机插座和插头。 t使用φ3omm的磁罐和φo.14mm的高强度漆包线制作。wl绕组绕16匝,w2绕900匝,w3绕组绕10匝。 电极a、b使用成品导电橡胶电极。