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当前位置：维库电子市场网>IC>35nc 更新时间:2024-04-19 16:39:26

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如何设计降压转换器
电压纹波有限制，选择一款最小化esr的电容(或一组并联电容器)就变得十分重要。当然，电容器必须有足够的电压等级。根据这些要求，就可以从供应商的电容器清单中选出最合适的方案。最后要注意的一点是，要对esr数据加以更多的关注，因为数据表里的esr数据可能并不是在你所选用的开关频率下得出的。请检查数据表，查看调整过的esr数值。一般根据rds(on)、栅极电荷和热管理需求来选择mosfet。查看几家制造商的数据表，可以选择象infineon bsc050n03ls这样的器件，该器件的栅极电荷为35nc，高边mosfet的rds(on)为5mω。对应地，可以选择rds(on)为1.6mω的低边mosfet(bsc016)。使环路闭合前面已经讨论过，输出要反馈到输入端，这样就产生了一个补偿环路。补偿的方式有很多种，比如type i、type ii和type iii。type i是单极点方案，type ii是带有一个零点的双极点方案，type iii是带有两个零点的三极点方案。每种方案的元器件数量都比前一种要多，不过也使得设计灵活性更好。从性能考虑，通常将这个环路的带宽设置为大约是

Vishay发布新款600V PFC高频整流器
pfc应用中的平均整体功率损耗减少了22%。 8s2th06i-m的反向恢复时间为11ns，再加上hyperfast技术的开关性能和在8a电流时的2.1v前向电压降，使该器件能够在更高的频率下工作，从而提高整体系统效率。2引脚的to-220封装使器件在120℃的外壳温度下能输出8a的直流电流，同时绝缘电压高于2kv。陶瓷绝缘to-220封装很容易与非绝缘的部件安装在一起，对结至外壳的2.3℃/w基准热阻则影响甚小。 8s2th06i-m在25℃和125℃下的反向恢复电荷为7nc和35nc，使qrr和前向电压降间做性能折中时能有大幅改善。这样就可以同时实现高频工作和更低的损耗，从而减小散热片和无源器件的尺寸。同样，8s2th06i-m的175℃工作结温能够实现更稳固和更具成本效益的设计方案，这比竞争器件的150℃最高温度等级足足提高了15%。器件规格表编号 8s2th06i-m if(av) 8 a @ tc 120 °c vf @ 125 °c (典型) 2.1 at 8 a qrr @ 125 °c，在额