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F型封装的三极管
f型封装的三极管可分为f一o、f一l、f一2、f一3、f一4五种规格。其实物外形如图所示。主要用于大功率三极管的封装。其中f一2规格的用的较多。 f型封装的三极管的引脚排列如图(b)所示，其识别方法是:将引脚朝上，放成如图所示的状态，上面的一根为基极b，下面的一恨为发射极e，金属外壳为集电极c。外壳中的两个孔是为安装三极管用的。采用f型封装的三极管有:f一l为fhoo4朋 (达林顿管);f一2为3dd15、3dd102、3dd200、3dd207、3dd303、d7312、dd5o2等;f一3为3da2238、3da3175、3da4301、3da495等;f-4为fhl5o、fh2oo(复合管)。图:f型封装装的三极管实物外形与引脚分布(a)外形;(b)引脚分布来源:ks99

新颖中功率NPN三极管ZXTN系列
路中，集电极(或发射极)总接有负载(以rl表示)，如图1所示。当电源vcc一定时，ic增大时，相应的vce必定减小，当vce减小到一定程度，ib再增大，ic也不再增加，此时三极管失去放大作用，这种状态称为三极管饱和，此时的vce被称为饱和电压降，用v ce(sat)或vces表示。饱和电压降v ce(sat)与ic及ib有关，ic越大，则vce(sat)也越大。图1 三极管结构示意图一般的双极型三极管的资料中，v ce(sat)是在一个确定的ic及一个确定的ib条件下给出的。例如，型号为3dd200的npn中功率三极管的v ce(sat)是在ic=1.5a、ib=0.15a的条件下给出的，按v ce(sat) ≤0.4v、≤0.6v、≤0.8v、≤1.0v分成4挡，用后缀a、b、c、d表示)。在实际上，三极管的v ce(sat)与 ic及ib有关，在不同的ic及ib时给出的vce(sat)才符合实际情况。例如，zetex公司在npn中功率管zxtn19055dz的资料中的v ce(sat)参数如表1所示。从表1中可看出，在不同的ic及ib时给出vce(sat)的典型值与最大值。在ic

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