驱动电流，增加驱动功耗；同时，由于放大倍数小，使其容易失去饱和而工作在放大区，使得大功率晶体管的功率损耗显著增大，并且缩小了安全运行范围。为此需采用了达林顿驱动结构，但常规的达林顿驱动结构通态下极易深度饱和，关断时存储时间长、关断损耗大，给电机换向带来较大影响。 本节以三相三状态永磁无刷直流电机晶体管放大电路为例，介绍功率晶体管驱动电路的设计。 通过实验和分析计算，本书研究并应用了一种改进的采用两只npn型晶体管构成的达林顿驱动电路，晶体管vt1的型号为3dk10e，晶体管vt2的型号为3dk109f，达林顿电路如图所示。 来源:lover
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