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节电容);另一种为外部方式,此方式的时钟源直接来自外部硬件电路(见图7)。对此电路来说,mcs-51系列单片机可使用已集成在片内的振荡器,亦可使用由ttl门电路构成的简单振荡器电路。由于内部时钟发生器是一个二分频的触发器,所以对外部振荡源要求不严,通常是产生112~12mhz的方波。当外接振荡器时,外部振荡信号从xtal1端,即内部三相波形发生器的输入端输入,xtal2端可浮空。 图7 外部晶体振荡电路 图7所示为一种典型的外部并行谐振振荡电路。该电路主要应用晶体的基频来设计。其中,74as04反相器用来实现振荡器所需的180°相移,417kω的电阻用来提供负反馈给反相器,10kω的电位器则用来提供偏压,从而使反相器74as04工作在线性范围内。 图8 外部串行谐振振荡电路 图8所示为一种典型的外部串行谐振振荡电路。该电路也是应用晶体的基频来设计。其中,74as04反相器用来提供振荡器所需的180°相移,330ω的电阻用来提供负反馈,同时偏置电压。 4.1.3 rc振荡 rc振荡适合于对时间精度要求不高的低成本应用。rc振荡频率随电源电压vdd、rc值及工作
建立振荡,如图1所示。电阻rs常用来防止晶振被过分驱动。在晶体振荡下,电阻rf≈10mω。对于32khz以上的晶体振荡器,当vdd>4.5v时,建议c1=c2≈30pf。(c1:相位调节电容; c2:增益调节电容。) 图1 外部晶体振荡器电路:pic芯片可以使用已集成在片内的振荡器,亦可使用由ttl门电路构成的简单振荡器电路。当外接振荡器时,外部振荡信号)仅限于hs。xt。lp)从osc1端输入,osc2端开路。 图2 图2所示的是典型的外部并行谐振振荡电路,应用晶体的基频来设计。74as04反相器以来实现振荡器所需的180°相移,4.7kω的电阻用来提供负反馈给反相器,10kω的电位器用来提供偏压,从而使反相器74as04工作在线性范围内。图3所示的是典型的外部串行谐振振荡电路,亦应用晶体的基频来设计。74as04反相器用来提供振荡器所需的180°相移, 330ω的电阻用来提供负反馈,同时偏置电压。 图3 rc振荡: rc振荡适合于对时间精度要求不高的低成本应用。rc振荡频率随着电源电压vdd,rc值及工作环境温度的变化而变化。同时由于工艺参数的差异,对不同芯片其振荡器
t引脚上,以建立振荡,如图1所示。电阻rs常用来防止晶振被过分驱动。在晶体振荡下,电阻rf≈10mω。对于32khz以上的晶体振荡器,当vdd>4.5v时,建议c1=c2≈30pf。(c1:相位调节电容; c2:增益调节电容。) 图1外部晶体振荡器电路:pic芯片可以使用已集成在片内的振荡器,亦可使用由ttl门电路构成的简单振荡器电路。当外接振荡器时,外部振荡信号)仅限于hs。xt。lp)从osc1端输入,osc2端开路。 图2图2所示的是典型的外部并行谐振振荡电路,应用晶体的基频来设计。74as04反相器以来实现振荡器所需的180°相移,4.7kω的电阻用来提供负反馈给反相器,10kω的电位器用来提供偏压,从而使反相器74as04工作在线性范围内。图3所示的是典型的外部串行谐振振荡电路,亦应用晶体的基频来设计。74as04反相器用来提供振荡器所需的180°相移, 330ω的电阻用来提供负反馈,同时偏置电压。 图3rc振荡:rc振荡适合于对时间精度要求不高的低成本应用。rc振荡频率随着电源电压vdd,rc值及工作环境温度的变化而变化。同时由于工艺参数的差异,对不同芯片其振荡器频率将不同。另外
首先 ,谢谢各位大侠。 由于书本上讲的不清楚,在对8253的clk信号的讲解时只说标准时钟信号,但在用的时候根本没有可参考的东西,在这里我把它说一下,请各位大侠共同参详, 8253的max频率为2m,实际可以达到2.6m,可以用大侠们提出的xtal2作为时钟信号,用分频器分频,分成2m即可,电路很简单。另一种方法是用晶体振荡器产生2m的频率,具体方法是用74as04或74ls04的6反相器的两个反相器串联在每个反相器的输入和输出端加上一个330欧的反馈电阻,再串联的两个反相器的两端接晶体振荡器
首先 ,谢谢各位大侠。 由于书本上讲的不清楚,在对8253的clk信号的讲解时只说标准时钟信号,但在用的时候根本没有可参考的东西,在这里我把它说一下,请各位大侠共同参详, 8253的max频率为2m,实际可以达到2.6m,可以用大侠们提出的xtal2作为时钟信号,用分频器分频,分成2m即可,电路很简单。另一种方法是用晶体振荡器产生2m的频率,具体方法是用74as04或74ls04的6反相器的两个反相器串联在每个反相器的输入和输出端加上一个330欧的反馈电阻,再串联的两个反相器的两端接晶体振荡器
74as04做出来的很好用。 看看电容。