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单电压操作:2.7V读,5V再编程;快速读存取时间为120ns;内部编程控制和计时器;扇区架构:1个8K字(16KB)启动区块,具有程序闭锁,2个8K字(16KB)参数区块,1个488K字(976KB)主存储阵列区块;快速擦除周期时间为10s;按字顺序排列的编程为30μs/字节;硬件数据保护;Data轮询用作程序结束检测;典型的10000次写人周期;低功耗:25mA工作电流,50μACMOS待机电流;商业级温度范围:-40~85℃;tACC(ns):120