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    AT49F1614-70TC引脚图4.5-5.5V读/写; 存取时间为70ns; 扇区擦除构架:30个32K字(64KB)扇区具有独立的写入封锁,8个4K字(8KB)扇区具有独立的写入闭锁,2个16K字(32KB)扇区具有独立的写入闭锁; 快速字编程时间为10μs; 快速扇区擦除时间为200ms; 双层组织,具有编程/擦除,允许并行读取; 存储器A层:8个4K字,2个16K字和6个32K字扇区; 存储器B层:24个32K字扇区; 擦除暂停能力:通过不同扇区的暂停擦除,从任何扇区支持读/编程数据; 低功率操作:40mA工作电流,10μA待机电流; Data轮询,触发位,Ready/Busy用于程序结束检测; RESET输入用作设备初始化; 扇区程序解锁命令; TSOP,CBGA和μBGA封装选择; 提供顶部或底部启动区块配置;商业级温度范围:0~70℃;tACC(ns):70;低功耗:40mA工作电流,10μA CMOS待机电流

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