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    AT49F8011-70TC引脚图4.5~5.5V读/写;取存时间为70ns;扇区擦除架构:14个32K字(64KB)扇区具有独立的写入封锁,2个16K字(32KB)扇区具有独立的写入封锁,2个8K字(16KB)扇区具有独立的写入封锁,4个4K字(8KB)扇区具有独立的写入封锁;快速字编程时间为10μs;快速扇区擦除时间为200ms;双层组织,在编程/擦除时,允许并行读取:存储器A层:4个4K字,2个8K字和2个16K字扇区; 存储器B层:14个32K字扇区; 擦除暂停能力:通过不同扇区的暂停擦除,从任何扇区支持读/编程数据;低功率操作:40mA工作电流,10μA待机电流;Data轮询,触发位,Ready/Busy用于程序结束检测;RESET输入用作设备初始化;扇区程序解锁命令;TSOP和CBGA封装选择;提供顶部或底部启动区块配置;商业级温度范围:0~70℃

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