Catalyst / ON Semiconductor
4 Kbit
512 x 8
100 yr
0.1 MHz
3 mA
1.8 V, 6 V
+ 85 C
SMD/SMT
SOIC-8
3500 ns
I2C
- 40 C
Tube
100
5.5 V
1.8 V
400kHz 12C总线兼容;工作电压:1.8~6.0V;低功耗CMOS技术;写保护功能:在WP为VIH时对顶部1/4阵列保护;16字节页写缓冲区;写入时自动清除存储器内容;1000000次编程/擦除周期;100年数据保留时间;封装:8引脚的SOIC和TSSOP封装;商业级、工业级和汽车级温度范围 ;工作温度范围:工业级温度- 40~85℃;工作电压范围:1.8~5.5V