Catalyst / ON Semiconductor
电可擦除可编程只读存储器
2 Kbit
256 x 8, 128 x 16
100 yr
1 MHz
3 mA
2.5 V, 6 V
+ 85 C
SMD/SMT
SOIC-8
Microwire
- 40 C
Tube
100
6 V
2.5 V
高速操作:1MHz;低功率CMOS工艺;工作电压范围:1.8~6.0V; 存储器可选择×8位或者×16位结构;写入时自动清除存储器内容;硬件和软件写保护;上电误写保护;1000000次编程/擦除周期;100年数据保留时间;商业级、工业级和汽车级温度范围;连续读操作; 可采用新的无铅封装 工作温度范围:工业级温度-40~85℃; 工作电压范围:2.5~6.0V