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单和双路版本; 低失真:在1kHz时0。0005%; 高转换率:14V/μs; 快速建立时间:3μs(达到0.01%); 宽电源范围:±4~±18V; 低静态电流:2.9mA(最大值); 高CMRR:90dB; 固定增益=0dB(1V/V); SOIC封装