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符合MICROWIRE总线工业标准;单电源电压:4.5~5.5V;单一组织结构:字(×16);编程指令影响字或整个存储器;自定时编程周期带自动擦除;用户定义写保护区域;分页写入模式(4字);编程时有准备/忙信号;1MHz时钟频率,10ms写入时间(当前产品,标识符F或M),2MHz时钟频率,5ms写入时间(新产品,标识符W或G);顺序读出操作;提高ESD/锁存保护;多于1百万次的写周期,多于40年的数据保留时间