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低功率CMOS：2.0mA最大操作电流，最大待机电流10μA(6.0V)，典型4μA；单电具有全面操作下降到2.5V；片上电压倍乘器；串行输入/输出I2C总线；写操作：字节写模式，8字节页写模式(每字节最小总的写入时间)；读操作：顺序阅读，随机读取；内部定时器写入(无需外部元件)，内部上电复位；0～100kHz时钟频率；高级可靠性通过采用1个冗余存储代码；耐力：1000000擦除/写(E/W)的周期在Tamb＝22℃时；10年非易失性数据保留时间
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