W39L040AQ70B
512K 】 8 CMOS FLASH MEMORY
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读出/擦除/编程操作电压3V/3.3V：在70ns时3.0～3.6V，90ns时2.7～3.6V； 快速编程操作：按字节编程：9μs(典型值)；快速擦除操作：芯片擦除操作时间：6s(典型值)，扇区擦除操作时间：0.7s(典型值)；读取时间：70ns/90ns；8个等64KB扇区；任意单一扇区可以被擦除；典型编程/擦除操作周期：10000；掉电数据保持20年；低功耗：动态读出电流：5MHz时7mA(典型值)，动态编程/擦除操作电流：5MHz时15mA(典型值)，待机电流：0.2μA(典型值)；监测程序是否完成：软件方法：Toggle位和Data轮询；符合JEDEC标准的字节宽度引脚分布；存取时间：70ns
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