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基于PLD的嵌入式系统外存模块设计
=address_f_r)； counter．data[15．．0]=d[15．．0]； clock信号要保证在写address_f_rp地址修改读取位置时，或读address_f_r地址取数据时都能产生上升沿信号。总线a0-a15和d0~d15分别是由ad0-ad15分离出来的地址和数据总线。多路选择器则根据地址译码产生的s0-s3选择输出地址，输出地址直接连接到ram和flash rom的地址线上。如果访问除address_f_rp和address_f_rp以外的地址，则地址输出总线a115．．1)=a［15．．1］、a16=0，即单片机直接访问存储器；如果读取address_f_r，则片选／cs2有效并且a[16..1)q(15．．0]作为输出地址。这样就可以自动地在不同存储区域进行切换，从而大大地增加了内存的扩充能力，并且简化了程序设计。运用同样的方法还可以定义flashrom中的数据块写入地址address_f_w和写位置指针地址address_f_wp，ram中也有类似的方法定义address_r_(ram数据块读地址)、address_r_rp(ram数据块的读位置指针地

A1152、A1153、A1155、A1156：稳定斩波双线霍尔效应开关
描述

　　A1152、A1153、A1155 和 A1156 是双线单极霍尔效应开关系列，经过厂方调整具有最高的磁性开关点准确度。这些设备通过 Allegro先进的 BiCMOS 晶圆制造流程，使用其专有的高频率四...

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