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LD0、QLDO、VLDO的设计原理及测试
，因此它兼有普通集成稳压器驱动电流小、低压差集成稳压器输入-输出压差低的优点。其输入-输出压差的计算公式为式中包含ube这一项，意味着qldo的输入-输出压差介于npn稳压器和ldo之间。qldo具有较好的性能指标：例如lml085能输出 3a的电流，而静态工作电流仅为10ma。qldo也需要接输出电容，但其容量可比ldo用得小，对电容的等效串联电阻(esr)要求较低。 2 vldo的设计原理 vldo的设计原理如图4所示，典型产品为analogic tech公司的aat3200。vld0的最大特点是采用p沟道功率场效应管mosfet来代替pnp型功率管作为调整管，mosfet本身还带保护二极管(vd)。p沟道mosfet属于电压控制型器件，其栅极驱动电流板小，而通态电阻非常低，通态压降远低于双极性晶体管的饱和压降，这不仅能大大降低输入-输出压差，还能在微封装下输出更大的电流。图4中还给出了内部过电流及过热保护电路，rs为电流检测电阻。一种改进型vldo的设计原理如图5所示。其主要特点是增加了输出状态自检(pok)、延迟供电、电源关断等功能。pok(powe

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