ADS5421Y/T
8000
TQFP64/22+
原装现货
ADS5421Y/T
8000
TQFP64/22+
原装现货
ADS5421
20000
SOIC/22+
奥利腾只做原装正品,实单价优可谈
ADS5421
20000
DIP/2023+
13%原装
ADS5421
18000
SOIC/2023+
13%原装
ADS5421
8000
SOIC/2023+
原装现货,支持BOM配单
ADS5421
18000
SOIC/2023+
13%原装
ADS5421
20000
SOIC/21+
-
ADS5421
3588
-/-
原装 部分现货量大期货
ADS5421
20000
SOIC/21+
-
ADS5421
12850
LQFP/22+
华为超级供应商,7*24小时技术支持,提供BOM一站式
ADS5421
20000
SOIC/21+
-
艺技术就可以实现。 2.2 功耗 cmos的工作电压低,信号摆幅小,只在状态转换时有电流流过,因此功耗低,这种特性有利于制造高速的处理器。另外器件的进一步小型化,可以提高器件的速度,扩大 cmos 技术的应用范围,但却不会改变它的损耗机制。虽然在高频通路中这种低功耗优势逐渐变得不够明显,但直流通路中cmos的功耗优势,仍对整个芯片的低功耗贡献极大。 目前adc技术的主要倾向,就是转向cmos 工艺,许多高速adc的功耗已大大减小。目前德州仪器(ti)开发的14位变换速率为40msps的 ads5421,仅消耗850mw功率,并且其断电模式还可将功耗降至40mw,与目前采用bicmos或互补双极工艺开发的同一速度档次的同类竞争产品相比,cmos工艺设计显著降低了该adc器件的功耗。正如ti负责高速转换器产品业务的营销经理ed fullman所说,“cmos工艺的采用,使该产品成为这一速度档次上兼具最低功耗和最低价格的解决方案”。美国amcc(applied micro circuits corp.)也表示,利用sige技术制作下一代高速通讯芯片遇到一些未曾料到的功耗问题, 目前amcc正在与台
高动态范围:高SFDR:83dB在10MHz fIN; 高SNR:75dB在10MHz fIN ;差分输入;可选全标度输入范围;低功率:85OmW;灵活的时钟:差分或单端;接收正弦或方波时钟下降0.5V(峰峰值);可变阈值电平