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  • TI 推出两款高精度运算放大器

    以及 400 nvpp 频率噪声。ac 参数包括 18 mhz gbw、22 v/µs 压摆率以及 1 khz 频率下的 0.0004% 总谐波失真 (thd)。 opa827 的工作电源电压范围为 ±4 v 至 ±18 v，电源电流只需 4.5 ma。该器件采用8 引脚 msop 封装，与 8 引脚 so 封装相比占用面积减少了一半。jfet 运算放大器实现了极低的偏置电流，非常适合信号源阻抗较高的应用。 ti 为客户提供适用于高精度应用的工艺一流的信号链解决方案，其中包括 ads8505 等模数转换器以及 dac8811 等数模转换器。opa211 与 opa827 为配合 ti tms320™高性能 dsp 平台与 msp430 超低功耗微控制器系列的协同工作而专门进行了优化。 bicom3hv 工艺采用 ti 最先进的制造技术，可满足未来高电压工业应用的需求。新工艺技术实现了高速度、低噪声、低功耗等特性，与前代技术相比，封装面积显著缩小。bicom3hv 是率先采用硅锗技术的 36 v 工业工艺，其晶体管速度较前代技术得到显著提高。出色的晶体管匹配与

  • TI推出面向高电压工业市场的高精度运算放大器

    压漂移以及 400 nvpp 频率噪声。ac 参数包括 18 mhz gbw、22 v/?s 压摆率以及 1 khz 频率下的 0.0004% 总谐波失真 (thd)。 opa827 的工作电源电压范围为 ±4 v 至 ±18 v，电源电流只需 4.5 ma。该器件采用8 引脚 msop 封装，与 8 引脚 so 封装相比占用面积减少了一半。jfet 运算放大器实现了极低的偏置电流，非常适合信号源阻抗较高的应用。 ti 为客户提供适用于高精度应用的工艺一流的信号链解决方案，其中包括 ads8505 等模数转换器以及 dac8811 等数模转换器。opa211 与 opa827 为配合 ti tms320高性能 dsp 平台与 msp430 超低功耗微控制器系列的协同工作而专门进行了优化。 业界首次采用互补双极 36v 硅锗工艺 bicom3hv 工艺采用 ti 最先进的制造技术，可满足未来高电压工业应用的需求。新工艺技术实现了高速度、低噪声、低功耗等特性，与前代技术相比，封装面积显著缩小。bicom3hv 是率先采用硅锗技术的 36 v 工业工艺，其晶体管速度较前代技术得到显著提高。出色

  • TI运算放大器OPA211和OPA8236V采用36V硅锗工艺制造

    /rthz电压噪声、250μv失调电压、1μv/degc失调电压漂移以及400 nvpp频率噪声。ac参数包括18mhz gbw、22v/μs压摆率以及1 khz频率下的0.0004%总谐波失真(thd)。 opa827的工作电源电压范围为±4v至±18v，电源电流只需4.5ma。该器件采用8引脚msop封装，与8引脚 so封装相比占用面积减少了一半。jfet运算放大器实现了极低的偏置电流，非常适合信号源阻抗较高的应用。 ti为客户提供适用于高精度应用的工艺一流的信号链解决方案，其中包括ads8505等模数转换器以及dac8811等数模转换器。opa211与opa827为配合ti tms320高性能dsp平台与msp430超低功耗微控制器系列的协同工作而专门进行了优化。 供货情况与封装 opa211现已开始提供样片，计划于2007年第2季度投入量产。该器件采用8引脚dfn、8引脚msop以及8引脚 so3种封装版本，批量订购千片以上单价为3.45美元(仅供参考)。 opa827现已开始提供样片，计划于2007年第2季度投入量产。该器件采用8引脚msop与8引脚so两种封装版本，批

  • 采用TI新型36V双极硅锗工艺开发而成的运算放大器

    失调电压漂移以及 400 nvpp 频率噪声。ac 参数包括 18 mhz gbw、22 v/μs 压摆率以及 1 khz 频率下的 0.0004% 总谐波失真 (thd)。 opa827 的工作电源电压范围为 ±4 v 至 ±18 v，电源电流只需 4.5 ma。该器件采用8 引脚 msop 封装，与 8 引脚 so 封装相比占用面积减少了一半。jfet 运算放大器实现了极低的偏置电流，非常适合信号源阻抗较高的应用。 ti 为客户提供适用于高精度应用的工艺一流的信号链解决方案，其中包括 ads8505 等模数转换器以及 dac8811 等数模转换器。opa211 与 opa827 为配合 ti tms320?高性能 dsp 平台与 msp430 超低功耗微控制器系列的协同工作而专门进行了优化。 业界首次采用互补双极 36v 硅锗工艺 bicom3hv 工艺采用 ti 最先进的制造技术，可满足未来高电压工业应用的需求。新工艺技术实现了高速度、低噪声、低功耗等特性，与前代技术相比，封装面积显著缩小。bicom3hv 是率先采用硅锗技术的 36 v 工业工艺，其晶体管速度较前代技术得到显著提高

  • TI凭借创新工艺第一代放大器实现超低噪声

    域。”opa827实现了出色dc精度与优异 ac 性能的完美结合。dc 特性包括4.5nv/rthz电压噪声、250μv失调电压、1μv/degc失调电压漂移以及400nvpp频率噪声。ac参数包括18mhz gbw、22v/μs 压摆率以及1khz频率下的0.0004%总谐波失真(thd)。它的工作电源电压范围为±4v至±18v，电源电流只需4.5ma。该器件采用8引脚msop封装，与8引脚so封装相比占用面积减少了一半。 此外，ti还为客户提供适用于高精度应用的信号链解决方案，其中包括ads8505等模数转换器以及dac8811等数模转换器。opa211与opa827为配合 ti tms320高性能dsp平台与msp430超低功耗微控制器系列的协同工作而专门进行了优化。 bicom3hv新工艺适用于高压、高精度要求 bicom3hv工艺可满足未来高电压工业应用的需求，实现了高速度、低噪声、低功耗等特性，与前代技术相比，封装面积显著缩小。bicom3hv 是率先采用硅锗技术的36v工业工艺，其晶体管速度较前代技术得到显著提高。出色的晶体管匹配与高精度硅铬(sicr)电阻器提高了精

  • TI 推出两款高精度运算放大器

    率噪声。ac 参数包括 18 mhz gbw、22 v/µs 压摆率以及 1 khz 频率下的 0.0004% 总谐波失真 (thd)。 opa827 的工作电源电压范围为 ±4 v 至 ±18 v，电源电流只需 4.5 ma。该器件采用8 引脚 msop 封装，与 8 引脚 so 封装相比占用面积减少了一半。jfet 运算放大器实现了极低的偏置电流，非常适合信号源阻抗较高的应用。 ti 为客户提供适用于高精度应用的工艺一流的信号链解决方案，其中包括 ads8505 等模数转换器以及 dac8811 等数模转换器。opa211 与 opa827 为配合 ti tms320™高性能 dsp 平台与 msp430 超低功耗微控制器系列的协同工作而专门进行了优化。 bicom3hv 工艺采用 ti 最先进的制造技术，可满足未来高电压工业应用的需求。新工艺技术实现了高速度、低噪声、低功耗等特性，与前代技术相比，封装面积显著缩小。bicom3hv 是率先采用硅锗技术的 36 v 工业工艺，其晶体管速度较前代技术得到显著提高。出色的晶体管匹

  • 德州仪器推出针对高电压工业市场的36V放大器

    250µv失调电压、1µv/degc失调电压漂移以及400nvpp频率噪声。ac参数包括18mhzgbw、22v/µs压摆率以及1khz频率下的0.0004%总谐波失真(thd)。 opa827的工作电源电压范围为±4v至±18v，电源电流只需4.5ma。该器件采用8引脚msop封装，与8引脚so封装相比占用面积减少了一半。jfet运算放大器实现了极低的偏置电流，非常适合信号源阻抗较高的应用。 ti为客户提供适用于高精度应用的工艺一流的信号链解决方案，其中包括ads8505等模数转换器以及dac8811等数模转换器。opa211与opa827为配合titms320™高性能dsp平台与msp430超低功耗微控制器系列的协同工作而专门进行了优化。 业界首次采用互补双极36v硅锗工艺 bicom3hv工艺采用ti最先进的制造技术，可满足未来高电压工业应用的需求。新工艺技术实现了高速度、低噪声、低功耗等特性，与前代技术相比，封装面积显著缩小。bicom3hv是率先采用硅锗技术的36v工业工艺，其晶体管速度较前代技术得到显著提高。出色的晶体管匹配与高精度硅铬(s

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