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am29lv200b供应商优质现货

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深圳市小联小商贸有限公司
am29lv200b
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深圳市昊创电子有限公司
AM29LV200BB-50EE
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9450
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深圳市腾桩电子有限公司
AM29LV200B-150EC
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8000
AMD
TSOP/22+
原装现货

深圳市天卓伟业电子有限公司
AM29LV200B-150EC
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8000
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TSOP/22+
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深圳市华美锐科技有限公司
AM29LV200BB-120ECT
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2337
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-/-
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深圳市晶美隆科技有限公司
AM29LV200B
15862
AMD
TSOP48/22+
全新原装现货热卖

深圳市博兴电子有限公司
AM29LV200B
6580
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艾润（香港）电子有限公司
AM29LV200B
3588
-
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原装部分现货量大期货

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AM29LV200B 2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-... AMD AM29LV200BPDF下载
Am29LV200B 2 Mbit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit... Am29LV200BPDF下载
AM29LV200B_03 2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-... Advanced Micro Devices AM29LV200B_03PDF下载
AM29LV200B_06 2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-... Advanced Micro Devices AM29LV200B_06PDF下载
AM29LV200B-100EC 2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-... AMD AM29LV200B-100ECPDF下载
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AM29LV200B-100EI 2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-... AMD AM29LV200B-100EIPDF下载
Am29LV200B-100EI 2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-... AMD [Advanced Micro Devices] Am29LV200B-100EIPDF下载

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TMS320C5410烧写Flash实现并行自举引导
摘要：介绍在tms320c5410环境下对am29lv200b flash存储器进行程序烧写，并且实现了tms320c5410上电后用户程序并行自举引导。关键词：am29lv200b flash dsp 并行自举引导自举表 flash是一种可在线进行电擦写，掉电后信息不丢失的存储器。它具有低功耗、大容量、擦写速度快等特点，并且内部嵌入算法完成对芯片的操作，因而在数字信号处理系统中得到了广泛的应用。本文通过一个完整的实例，介绍am29lv200b flash存储器的烧写方法，实现tms320c5410（以下简称c5410）上电后用户程序的并行自举引导。1 am29lv200b flash存储器1.1 flash存储器简介 am29lv200b是amd公司生产的flash存储器，其主要特点有：3 v单电源供电，可使内部产生高电压进行编程和擦除操作；支持jedec单电源flash存储器标准；只需向其命令寄存器写入标准的微处理器指令，具体编程、擦除操作由内部嵌入的算法实现，并且可以通过查询特定的引脚或数据线监控操作是否完成；可以对任一扇区进行读、写或擦除操作，而不影响其它部分的数
TMS320VC5410分页烧写Flash的多页程序并行自举
易失性存储器，因此需要外部的非易失性存储介质，如eprom或flash，来存储程序和数据。5410片内有64k字ram。由于在片内ram运行程序比片外运行有高速度低功耗等显著优点，通常上电后都需要从片外eprom或flash上加载程序到片内ram，但是芯片自带的自举程序（简称bootloader）只支持32k字以内的外部程序加载，因此程序设计往往局限于32k字空间内，限制了编程的灵活性，不能充分发挥5410的性能，当程序空间大于32k字时，就需要自己编写程序来实现自举。下面首先介绍使用5410对am29lv200bflash存储器进行程序分页烧写的方法，然后重点介绍利用bootloader来编程实现多页并行自举引导的方法。 1 am29lv200b flash存储器的分页烧写 1.1 flash存储器简介 am29lv200b（简称flash）是amd公司生产的flash存储器，主要特点有：3v单电源供电，可内部产生高电压进行编程和擦除操作；支持jedec单电源flash存储器标准；只需向其命令存储器写入标准的微处理器指令，具体便编程、擦除操作由内部嵌入的算法实现，并且可以通过查询特定的引脚或
分页烧写Flash多页程序并行自举方法
储器，因此需要外部的非易失性存储介质，如eprom或flash，来存储程序和数据。5410片内有64 k字ram，由于在片内ram运行程序比片外运行有高速度低功耗等显著优点，通常上电后都需要从片外eprom或flash上加载程序到片内ram，但是芯片自带的自举程序(简称bootloader)只支持32 k字以内的外部程序加载，因此程序设计往往局限于32 k字空间内，限制了编程的灵活性，不能充分发挥5410的性能。当程序空问大于32 k字时，就需要自己编写程序来实现自举。下面首先介绍使用5410对am29lv200bflash存储器进行程序分页烧写的方法，然后重点介绍利用bootloader来编程实现多页并行自举引导的方法。 1 am29lv200b flash 存储器的分页烧写 1.1 fiash 存储器简介 am29lv200b(简称flash)是amd公司生产的flash存储器，主要特点有：3 v单电源供电，可内部产生高电压进行编程和擦除操作；支持jedec单电源flash存储器标准；只需向其命令寄存器写人标准的微处理器指令，具
分页烧写Flash的多页程序并行自举方法
储器，因此需要外部的非易失性存储介质，如eprom或flash，来存储程序和数据。5410片内有64 k字ram，由于在片内ram运行程序比片外运行有高速度低功耗等显著优点，通常上电后都需要从片外eprom或flash上加载程序到片内ram，但是芯片自带的自举程序(简称bootloader)只支持32 k字以内的外部程序加载，因此程序设计往往局限于32 k字空间内，限制了编程的灵活性，不能充分发挥5410的性能。当程序空问大于32 k字时，就需要自己编写程序来实现自举。下面首先介绍使用5410对am29lv200bflash存储器进行程序分页烧写的方法，然后重点介绍利用bootloader来编程实现多页并行自举引导的方法。 1 am29lv200b flash 存储器的分页烧写 1.1 fiash 存储器简介 am29lv200b(简称flash)是amd公司生产的flash存储器，主要特点有：3 v单电源供电，可内部产生高电压进行编程和擦除操作；支持jedec单电源flash存储器标准；只需向其命令寄存器写人标准的微处理器指令，具体编程、