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当前位置：维库电子市场网>IC>am29lv800b 更新时间:2024-04-24 19:22:00

am29lv800b供应商优质现货

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  • 深圳市诚研翔科技有限公司

  • AM29LV800BB-90EC

  • 严选现货

    严选现货=现货+好口碑+品质承诺

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    带有此标记的料号：

    1.表示供应，口碑良好，缴纳了2万保证金，经维库认证中心严格审查。

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  • AMD

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  • 公司100%全新原装现货

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am29lv800b价格行情

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am29lv800b中文资料

  • 基于DSP的带时间标签的温度采集记录仪的设计

    行状态下对实时时钟的错误修改。此外，该芯片还具有看门狗实时复位电路。所以，这款实时时钟芯片资源丰富，功能强大，所需外部分立元件少，可以提高系统的可靠性。 本检测仪中的dsp与实时时钟芯片的连接图如图4所示。 2．3 dsp与flash贮存器的连接 flash存储器又称闪存，它结合了rom和ram的特点，不仅具备电子可擦除可编程(eeprom)功能，而且断电不会丢失数据，同时又能快速读取数据，具有可在线电擦写、低功耗、大容量、擦写速度快等特点。属于eeprom的改进产品。am29lv800b是amd公司的一种flash存储器件，其访问时间为90 ns；存储容量为8 mbit；工作温度范围为-55～+125℃；在线编程电压为3．0～3．6v；而且功耗低；读操作时的电流为7m-a，编程／擦除时的电流为15 ma。图5为dsp与am29lv800b的连接电路图。 2．4 人机接口 本系统的人机接口部分主要由dsp与液晶的连接电路和按键扫描电路组成。根据tms320lf2407a的i／o口资源利用情况。本设计的液晶显示采用并行i／o口实现显示控制；又由于按键键盘所需不多，故

  • 基于电源监控芯片TPS3307的DSP图像处理系统设计

    限，不能满足本项目的需求，故自行设计一块视频卡。 在视频卡设计中，电源模块设计非常关键，它直接影响着视频卡的最后实现和稳定运行。电源设计包括两个部分：供电系统和电源检测及上电复位系统。对供电系统来说，为满足系统需要，必须能够提供四种电源电压，分别为-+5v、-5v、+3.3v和+1.8v。+5v电源由外部提供，而其它供电电压需要自行设计。在选择5v-3.3v dc-dc电压泵时，考虑电流大小为：tms320c6211的130ma、saa7111a的150ma、epm7128s的300ma、am29lv800b的30ma、idt72v215的2×60ma、mt48lc4m16a2的2×230ma，电流共需在1.2a左右，加上其它的一些电压转换芯片和接口芯片，考虑1.5a的供电电流。即供电电流必须大于1.5a。在选择5v-1.8v dc-dc电压泵为dsp供电时，供电电流要大于830ma。 该系统中的电源检测及上电复位电路，是为保证系统在供电未达工作电压前，各器件不会处于不受控制的状态而设计的。该电路可 以保证这些器件在系统加电的过程中，始终处于复位状态，直到各供电电压达到正常工作电压。另外

  • 基于TMS320C6713的电子束曝光机图形发生器的硬件设计

    号线scl和数据信号线sda，它们分别是漏极开路输出和磁滞输入，在应用时都必须接2.2kω的上拉电阻，即使没有外接i 2c设备，scl,sda也要上拉到3.3v。 本系统上电后通过i2c总线将固件从外部 eeprom存储器中下载到芯片内置的ram中，在cy7c68013复位后便开始执行这一程序代码。在这种情况下，设备描述符被压缩到固件中，同时状态 位renum=1，表明是由固件来管理设备请求。 5 外部存储器扩展电路设计[3]本系统选用一片amd公司的低功耗cmos工艺的 flash rom——am29lv800b作为扩展的外部程序存储器。 dsp对flash的逻辑控制通过一片cpld译码产生。 由于tms320c6713芯片具有专门的同步动态存储器接口，并提供sdram所需的所有控制和刷新信号，因此可以实现dsp与sdram之间的无缝连接[4]。本系统选用的是micron公司的mt48lc4m16a2，存储容量为64mbit，数据宽度为16位，工作时钟可达125mhz，并具有同步接口和内部流水线结构。 6 标记检测与曝光及束闸控制单元 6.1 标记检测单元 电子束曝光机在进行曝光之前，需要进行标记检测，

  • 基于DSP的工频电量测试仪硬件电路设计

    d和rxd信号和pc机的串口电压不符, 所以在此之间加了一个电压转换器max232。其连接图如图8。其内部主要由一个将+5v变至+10v的电 压倍增器，一个将+10v变至-10v的电压变换器以及两个发送器和两个接收器组成。使用时只需在外部连接4个电容，通过内部的双充电泵电压变换器，就可以实现升压和电压极性转换，把+5v变换成±12v，以作为驱动器的电源。通过这种芯片不但实现了ttl与eia232c电平的转换，而且可同时完成正负逻辑之间的转换，使用起来非常方便。 9.存储器扩展 am29lv800b是一个8m位，3.3v闪速存储器，该存储器有1m字节或512k16位字。16位字数据出现在dq15–dq0上；字节宽数据出现在dq7–dq0上。这个器件仅需要单个3.3v电源就可完成读、编程和擦除操作。也可以使用一个标准eprom编程器编程和擦除器件。 该器件是用amd的0.32µm技术制造，还具有旁路解锁编程和在线块保护/不保护的特点。标准器件提供70、90和120ns的访问时间，使得高速微处理器操作没有等待。 对于读和写功能器件仅需要单个3.3v电源供电。内

  • TMS320VC5509在线烧写Flash并自举启动方法研究

    列， 就可以启动flash 芯片内部的写状态机， 完成指定的操作。表2 为flash 的操作命令说明（ 对芯片的擦除和编程都是按照字进行的）， 表中所有的数据都是十六进制数。 flash 的正确操作顺序： 先复位， 再擦除， 最后编程。 按照表2 提供的操作命令时序来实现对am29lv800 的擦除和编程，pa 为编程地址，pd 为编程数据。flash 扩展在ce1 空间， 起始地址是200000， 所以操作时所有地址必须加上200000。例如烧写工程中擦除部分命令为： 表2 am29lv800b 的操作命令说明 芯片擦除需要占用6 个总线周期， 而芯片编程需要4 个总线周期， 依照表3 的数据， 在每个总线周期对相应地址写入命令字就可以了。用户一般都是对芯片进行写操作， 写操作只能使‘1’ 变‘0’ ， 而擦除只能使‘0’ 变为‘1’ 。图3 为擦除和编程命令波形图， 清楚地显示了擦除和编程操作过程。 图3 擦除和编程命令波形图 判断编程或擦除的结束是当把编程或擦除的命令字按照其时序写入flash 时， 在写编程命令时序或擦除命令时序的最后一个we 上升沿到来之后

  • [请教]为什么市场上卖的开发板既有NAND Flash又有NOR flash？

    [to wag]：我用的nand和nor型号nand：三星 k9f1208u0mnor： amd am29lv800b * - 本贴最后修改时间：2006-3-30 1:31:08 修改者：wx82614

  • TMS320vc5402  数据空间，程序空间相关问题，内行人请进

    kvan你的flash是什么型号的？我采用的是16位boot模式，我的5402dsk上的flash是am29lv800b的地址线有19根，有8m的存储空间，你的flash有18条地址线，那么是不是有4m 的存储空间呢，但是就是不知道怎么区分程序，数据空间的，难道就是根据初始化寄存器来设定的？

  • 请教为了使DSP能够写flash,如何配置EMIF和地址...

    21 20 19 ................. 3 2 1*8 20 19 18 ................. 2 1 0根据我的flash,我把emif口的ce1ctl和gblctl设置成16 bit 模式,ce1空间的起始地址是0x90000000,2.flash的we,oe,ce,ry线分别与dsp的we,oe,ce1,通用io口(mcbsp口可设置成io口)相连;3.我用的flash是am29lv800b;4.flash的16跟数据线与dsp的低16位数据线相连;调试中碰到的问题:1.根据flash手册说明,应该往555和2aa里写命令,那根据我前面说的硬件设计,我在dsp程序中对应的地址是0x90000aaa和0x90000554吗?(c6000里对地址还要进行移位调整)2.我的调试程序就是往flash里写chip erase命令,在程序里先设置emif口寄存器,然后就是往0x90000aaa和0x90000554里写命令,写完后dsp进入死循环,等待一段时间,从ccs里用view memor

am29lv800b替代型号

AM29LV800 AM29LV640 AM29LV400BT AM29LV400BB-70EC AM29LV400B AM29LV320DT90EC AM29LV320DT AM29LV320DB-90EI AM29LV320DB-90EC AM29LV320DB-120EC

AM29LV800BB AM29LV800BT AM29LV800DB-90EC AM29LV800DT-70EC AM386 AM400 AM402 AM417 AM462 AM486

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