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ao3407中文资料

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  • 价格:

    在售

  • 系列:

    -

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 产品状态:

    在售

  • FET 类型:

    P 通道

  • 技术:

    MOSFET(金属氧化物)

  • 漏源电压(Vdss):

    30 V

  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):

    4.1A(Ta)

  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):

    4.5V,10V

  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):

    52 毫欧 @ 4.1A,10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):

    2.4V @ 250μA

  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):

    11 nC @ 10 V

  • Vgs(最大值):

    ±20V

  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):

    520 pF @ 15 V

  • FET 功能:

    -

  • 功率耗散(最大值):

    1.4W(Ta)

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 封装/外壳:

    3-SMD,SOT-23-3 变式

  • 专业代理,场效应管,MOSFET!AOS美国万代,日本松木,台湾擎力,韩国美格纳!

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