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ao4407a中文资料

  • 分析功率MOS管RDS负温度系数对负载开关设计的影响

    跨越,而在关断过程中,rds(on)从正温度系数区域向负温度系数区域跨越。事实上,在功率mos管内部,由大量的晶胞并联而成,各个晶胞单元的rds(on)在开关过程中,动态的跨越负温度系数区域的时候,会产生局部过热。当某个区域单元的温度较高时,其导通压降降低,周边的电流都会汇聚在这个区域,产生电流的涌聚,也就产生部分区域热点。另外,由于硅片单元特性及结构不一致性、封装时硅片与框架焊接结面局部的空隙,容易形成局部的大电流的单元(即热点),其自身的温度增加,同时也使其邻近的单元的温度增加[3]。 ao4407a的数据表转折电压大于5 v,在转折点处,器件的增益与温度无关,温度系数为0,ao4407a用于负载开关。米勒平台电压约为3 v,低于5 v,这表明功率mos强迫工作于线性模式(即放大区)时,其rds(on)工作于负温度系数区。 当内部产生热不平衡时,局部温度升高,导致这些区域的vgs降低。而流过这些区域单元的电流却进一步增加,使功耗增加,进而促使温度又进一步上升。其温度上升取决于功率脉冲电流的持续时间、散热条件和功率mos单元的设计特性,热失衡导致大电流集中到一个局部区域,形成熔丝效应,产生

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