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分析功率MOS管RDS负温度系数对负载开关设计的影响
跨越，而在关断过程中，rds（on）从正温度系数区域向负温度系数区域跨越。事实上，在功率mos管内部，由大量的晶胞并联而成，各个晶胞单元的rds（on）在开关过程中，动态的跨越负温度系数区域的时候，会产生局部过热。当某个区域单元的温度较高时，其导通压降降低，周边的电流都会汇聚在这个区域，产生电流的涌聚，也就产生部分区域热点。另外，由于硅片单元特性及结构不一致性、封装时硅片与框架焊接结面局部的空隙，容易形成局部的大电流的单元（即热点），其自身的温度增加，同时也使其邻近的单元的温度增加[3]。 ao4407a的数据表转折电压大于5 v，在转折点处，器件的增益与温度无关，温度系数为0，ao4407a用于负载开关。米勒平台电压约为3 v，低于5 v，这表明功率mos强迫工作于线性模式（即放大区）时，其rds（on）工作于负温度系数区。当内部产生热不平衡时，局部温度升高，导致这些区域的vgs降低。而流过这些区域单元的电流却进一步增加，使功耗增加，进而促使温度又进一步上升。其温度上升取决于功率脉冲电流的持续时间、散热条件和功率mos单元的设计特性，热失衡导致大电流集中到一个局部区域，形成熔丝效应，产生

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